技术编号:33806805
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本公开实施例涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种图像传感器及其制造方法。背景技术.图像传感器可以划分为电荷耦合器件(charge coupled device,ccd)图像传感器和互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,cmos)图像传感器两种类型。其中,cmos图像传感器(cmos image sensor,cis)是一种利用硅半导体的光电特性来实现光电信号转换的图像传感器件,其结构简单、功耗低、成品率高且价格低廉,广泛应用于...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。