技术编号:33820695
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及多晶硅制备技术领域,具体涉及一种均匀生长区熔级多晶硅棒的方法。背景技术.随着光电技术的迅速发展,工业硅已经成为通讯。半导体行业的支柱产业,出现了供不应求的前景,现今世界上工业硅生产主要使用改良西门子方法,此方法存在能耗高和污染重的问题,因此硅烷热分解法制备工业硅是取代改良两门子法的必然趋势。.硅烷法能够使硅烷进行热分解制备得到多晶硅。反应的温度低,原料是气体硅烷容易提纯,杂质的含量可得到较好的控制。硅烷法所制备的多晶硅棒,结晶的形状非常致密,结晶的粒径比三氯氢硅工艺制备的小的多...
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