技术编号：3385816
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及真空镀膜中频磁控溅射靶，特别是一种磁控溅射相距较近的中频孪生靶。背景技术磁控溅射靶是大面积真空镀膜设备中的主要装置之一，现代光电薄膜产品中需要大量沉积氧化物、氮化物等绝缘化合物薄膜，因此广泛应用中频反应磁控溅射技术。在中频反应溅射中，当靶上所加的电压处于负半周时，靶面被正离子溅射；而在正半周时，等离子体中的电子被加速到靶面，中和了靶面上积累的正电荷，从而抑制了打火。但在确定的工作场强下，频率越高，等离子体中正离子被加速的时间越短，正电场从外电...
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