技术编号:3386202
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及化学的机械研磨用浆料组合物,更详细地是涉及氧化物层对氮化物层的研磨速度选择比大的氧化铯浆料组合物、和利用它的半导体元件的表面平坦化方法以及控制浆料组合物的选择比的方法。本申请是以韩国专利申请第10-2002-0087934号为基础,在此编入了其内容。背景技术 化学的机械研磨(Chemical Mechanical Polishing;CMP)是用存在于加压的晶片和研磨垫间的研磨剂进行的机械加工、和用浆料的化学药品进行的化学腐蚀同时作用的半导体加工...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。