技术编号:3386485
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及PECVD设备的磁场,具体地说是一种可以提高原料利用率和提高膜层沉积速度,进而提高产能的双向磁场增强装置。背景技术随着经济建设的快速发展,微电子技术得到了迅猛地发展,PECVD等离子体处理设备的开发和使用也日益广泛。PECVD即为等离子体增强化学气相沉积法,在化学气相沉积时,为了使化学反应能在较低的温度下进行,可以利用了等离子体的活性来促进反应,这种化学气相沉积方法称为等离子体增强化学气相沉积法,实施该种加工方法的设备为PECVD设备。用于太...
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