技术编号：3386728
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种Ge-Cr合金溅射靶及其制造方法，其使用Ge-Cr合金溅射靶，通过反应溅射形成GeCrN类薄膜时，可以抑制成膜速度的偏差及伴随而来的组成误差，可以得到稳定的溅射特性。背景技术 近年来，开发了不需要使用磁头能够记录·再生的高密度记录光盘技术，对其的关注越来越多。该光盘分为再生专用型、追记型、重写型3类，特别引人注目的是追记型或重写型使用的相变化方式。相变化光盘，是指将基板上的记录薄膜用激光照射进行加热升温，使其记录薄膜的构造上引起结晶学的相变化...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。