技术编号：3389558
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于形成ITO膜的溅射用ITO(以铟-锡为主要组分的复合氧化物In2O3-SnO2)靶。背景技术 ITO膜作为以液晶显示器为主的显示装置等的透明电极(膜)而被广泛应用。作为形成该ITO膜的方法，由真空蒸镀法和溅射法等一般认为物理蒸镀法的方法进行，特别是从操作性和膜的稳定性考虑，采用磁控管溅射法形成。利用溅射法的膜的形成，是使Ar离子等正离子物理碰撞于设置于阴极的靶，以其碰撞能量释放出构成靶的材料，将与靶材料大致相同的组分的膜在对向的阳极侧的基...
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