技术编号:3389566
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及氧化物薄膜制造方法及其制造装置,特别是涉及采用化学气相生长(CVD)法的氧化物薄膜的制造方法及其制造装置。背景技术 近年,由于半导体器件高集成化的需求在积极地进行层错被膜性好的化学气相生长法的量产技术的开发。其中,制造由SiO2、TiO2、Al2O3、Ta2O5、MgO、ZrO2、HfO2、(Ba,Sr)TiO2、SrTiO3等的常介电氧化物、Pb(Zr,Ti)O3、SrBi2Ta2O9、Bi4Ti3O12等的强介电氧化物构成的薄膜时,如果膜中的...
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