技术编号:3392610
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。含金属-硅的薄膜的循环化学气相沉积 相关申请的交叉引用该专利申请要求申请号为60/874,653,于2006年12月13日提交的美国临 时专利申请的权益。背景技术金属硅氮化物薄膜具有作为铜互连的扩散阻挡层或作为栅电极或作为相变 存储器的加热体的潜在应用。现在,金属氨化物、硅烷和氨已被研究用来制备 金属硅氮化物。 是一种自燃的气体,隐含有潜在的危险。发明内容本发明是在热的基底上沉积金属硅氮化物的方法,包括a. 将热的基底和金属氨化物接触以将金属氨化物吸附在该...
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