技术编号:3394113
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有氮化钛膜的。背景技术 以往,在使用了Ta2O5、HfO2、BaSrTiO3等金属氧化物的强电介质作为电介质层的电容器中,作为上部电极,可以使用通过化学汽相生长法(Chemical Vapor Deposition method,以下称为CVD)形成的氮化钛膜(以下称为TiN膜)。作为该TiN膜的制造条件,一般采用卤化钛气体(例如,TiCl4气体)和氨气(NH3气体)作为原料气体,在成膜温度约为600℃下进行。但是,在下部电极中采用多晶硅的MI...
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