技术编号:3399372
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及物理气相沉积法直接制备金属纳米线的技术。背景技术 钼、钨、锝、钌、铱、铼和锇等金属材料具有很多优良的性质,如熔点高,高温下机械性能好,高温化学稳定好,导电率高等,这些优异的性能使得它们在真空微电子器件中有着广阔的应用。尤其是一维金属纳米线,它在未来纳电子元器件及其集成电路中将有着广阔的应用空间,例如它们不仅可以作为纳电子元器件的组成单元,而且还可以作为导线连接各纳电子元器件以组成电路单元。至今为止,有很多关于合成金属纳米线方法的报道,它们主要包括...
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