技术编号:3400916
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种化学气相沉积装置,特别是一种使用防漏伸缩管结构接合反应器排气端与排气管的化学气相沉积装置。背景技术 所谓的化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition;CVD),乃是利用化学反应的方式在反应器内将反应物(通常为气体)生成固态的生成物,并沉积在芯片表面的一种薄膜沉积技术。而等离子辅助化学气相沉积(Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition;PECVD),是利用等离子技术将反应气体离子化...
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