技术编号：3403842
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及对半导体晶片等被处理体进行蚀刻或成膜等处理用的真空装置、其泄漏率的测量方法，在测量其泄漏率时使用的程序和存储介质。背景技术 在制造各种半导体装置的过程中，在蚀刻或成膜等处理时使用的真空装置中，设置有包括阀门和排气泵的排气部，其结构使得能够将真空腔室内的压力减压到规定的真空状态。具体说来，从真空腔室侧开始，依次连接着其传导性可变的自动压力控制阀(APC阀)、闸阀、作为主排气泵的涡轮分子泵(TMP)、经过任意的阀门作为副排气泵的干式泵，其结构使得能够...
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