专利名称：真空装置、其泄漏率测量方法及测量用程序和存储介质的制作方法
技术领域：
本发明涉及对半导体晶片等被处理体进行蚀刻或成膜等处理用的真空装置、其泄漏率的测量方法，在测量其泄漏率时使用的程序和存储介质。
背景技术：
在制造各种半导体装置的过程中，在蚀刻或成膜等处理时使用的真空装置中，设置有包括阀门和排气泵的排气部，其结构使得能够将真空腔室内的压力减压到规定的真空状态。
具体说来，从真空腔室侧开始，依次连接着其传导性可变的自动压力控制阀(APC阀)、闸阀、作为主排气泵的涡轮分子泵(TMP)、经过任意的阀门作为副排气泵的干式泵，其结构使得能够保持真空腔室的高气密状态和真空状态。有时也使用将上述APC阀和闸阀制成一体的带闸阀机构APC阀。
在这样的真空装置中，有必要定期测量真空腔室的泄漏率，检验其气密性。在测量泄漏率时，将真空腔室内的气体排放掉，抽真空之后进行密闭，在此状态下测量室内的压力，通过累积的方法监测其变化(比如专利文献1)。为了通过累积法进行泄漏率的测量，必须使真空腔室处于密闭状态，要从上述涡轮分子泵在排气方向的上游侧配备上述闸阀(或上述装有闸阀机构的APC阀)。
在闸阀或装有闸阀机构的APC阀当中，为了确保气密状态，使用了作为密封材料的O形圈，但在用等离子体进行处理的真空装置中，由于在干法清洗时产生的自由基，使得O形圈很容易老化，必须频繁地进行更换。这种O形圈的维修操作，随着近年来排气管口径变大而需要很长的时间，成为装置停机时间延长的主要原因。
专利文献1特开2003-77898号公报(图4等)发明要解决的问题在真空装置的排气部，与APC阀邻接(或者与APC阀成为一体)配备闸阀的主要目的，是为了在进行上述累积法测量时使真空腔室内密闭。但是，如果能够用其他方法代替泄漏率的测量，就没有必要经过闸阀，应该能够大幅度降低更换O形圈所必需的维修次数。
发明内容
从而，本发明的目的第一是提供一种泄漏率的测量方法，使得即使在没有配备闸阀的情况下，也能够正确地测量来自真空腔室的泄漏率，第二是提供一种真空装置，为了减少维修的次数，在涡轮分子泵排气方向的上游侧不使用闸阀。
为了解决上述课题，按照本发明的第一观点，提供一种泄漏率的测量方法，该方法是对如下构成的真空装置的泄漏率进行测量的泄漏率测量方法，该真空装置包括在其内部容纳被处理体对其进行处理的真空腔室、经过作为通导性可变阀门的第一阀门与上述真空腔室相连接的第一排气泵、与上述第一排气泵相比连接在排气方向下游的第二阀门，其特征在于，设有从上述第一排气泵和上述第二阀门之间的排气通道分支出来，与上述真空腔室以连通状态相连接的循环通道，在上述第一阀门设定在规定的通导性，上述第二阀门闭合的状态下，由上述第一排气泵将通过上述循环通道的气体循环到上述真空腔室中，对上述真空腔室内的压力进行监测。
按照本发明的第二发明方面，提供一种泄漏率的测量方法，该方法是测量如下组成的真空装置泄漏率的泄漏率测量方法，该真空装置包括在内部容纳被处理体进行处理的真空腔室、经过作为通导性可变阀门的第一阀门与上述真空腔室相连接的第一排气泵和与上述第一排气泵相比连接在排气方向下游的第二阀门，其特征在于，在上述第一阀门全开，上述第一排气泵动作的状态下，上述第二阀门关闭，对第一排气泵和上述第二阀门之间的排气通道内的压力进行监测。
按照本发明的第三发明方面，提供一种泄漏率的测量方法，该方法是对如下构成的真空装置测量泄漏率的泄漏率测量方法，该真空装置包括在其内部容纳被处理体进行处理的真空腔室、经过作为通导性可变阀门的第一阀门与上述真空腔室相连接的第一排气泵、经过第二阀门与上述第一排气泵相连接的第二排气泵，其特征在于，在上述第一阀门全开，上述第一排气泵停止的状态下，由上述第二排气泵将上述真空腔室内减压到规定压力以下后，上述第二阀门闭合，在此状态下对上述真空腔室内的压力进行监测。
按照本发明的第四发明方面，提供一种泄漏率的测量方法，该方法是对如下构成的真空装置测量泄漏率的泄漏率测量方法，该真空装置包括在其内部容纳被处理体进行处理的真空腔室、经过作为通导性可变阀门的第一阀门与上述真空腔室相连接的第一排气泵和连接在上述第一排气泵的排气方向下游的第二阀门，其特征在于，在上述第一排气泵动作，而且上述第二阀门打开的状态下，将上述第一阀门设定在规定的通导性，测量上述真空腔室内的压力。
在上述第四观点的泄漏率测量方法中，通过将被测量的上述压力与上述第一阀门设置在规定的通导性时预先计算出的上述真空腔室内部的压力值进行比较，就能够推算出泄漏率。上述规定的通导性优选在10L/秒以下。
过去，为了测量真空腔室的泄漏率都在与第一排气泵相比在排气方向上游的位置配备闸阀机构，使真空腔室内处于密闭状态下。
这就是说，配备与通导性可变的阀门邻接的闸阀，或者使用装有闸阀机构的通导性可变阀门，通过闭合闸阀使真空腔室内处于密闭状态，由累积法测量泄漏率，但按照上述第一至第四中任何一发明方面，不使用闸阀机构就能够测量真空腔室的泄漏率，没有必要在比第一排气泵处于排气方向上游的位置配备闸阀机构。
按照本发明的第五发明方面，提供一种真空装置，该装置包括在其内部容纳被处理体对其进行处理的真空腔室、经过作为不具有闸阀机构的通导性可变阀门的第一阀门与上述真空腔室相连接的第一排气泵和与上述第一排气泵相比连接在排气方向下游的第二阀门。
按照上述第五观点，由于采用了在与第一排气泵相比处于排气方向上游的位置上不配备闸阀机构的结构，真空装置的结构可以不使用在闸阀机构上必需的老化很快的O形圈。从而除了能够削减更换O形圈等维修时需要的时间和经费以外，还能够削减零件数，也可以提高装置的安全性。
在上述第五发明方面中，还包括与上述第二阀门相比连接在排气方向下游的第二排气泵。在此情况下，优选上述第一排气泵是涡轮分子泵，而上述第二排气泵优选是干式泵。优选上述第一阀门是通导性可变的阀门，该阀门以对称配置一对略呈半圆形的板制成阀体，以各个板的直线状的边缘部分作为旋转中心，通过转动来调节开度从而调节其通导性。
其结构也可以包括从上述第一排气泵和上述第二阀门之间的排气通道中分出的、以连通状态与上述真空腔室相连接的循环通道。
按照本发明的第六发明方面，提供一种存储有如下程序的计算机可读取存储介质，该程序是用来测量一种真空装置的泄漏率用的程序，该真空装置包括在其内部容纳被处理体对其进行处理的真空腔室、经过作为通导性可变阀门的第一阀门与上述真空腔室相连接的第一排气泵、与上述第一排气泵相比连接在排气方向下游的第二阀门和在上述第一排气泵和上述第二阀门之间的排气通道上分出，在连通状态下与上述真空腔室相连通的循环通道，其特征在于，上述程序在计算机中至少运行将上述第一阀门设定在规定开度的步骤、在上述第二阀门闭合的状态下，利用上述第一排气泵，通过上述循环通道使气体向上述真空腔室循环的步骤、以及对上述真空腔室内的压力进行监测的步骤。
按照本发明的第七发明方面，提供一种存储有如下程序的计算机可读取存储介质，该程序是在如下构成的真空装置中测量泄漏率用的程序，该真空装置包括在其内部容纳被处理体并对其进行处理的真空腔室、经过作为通导性可变阀门的第一阀门与上述真空腔室相连接的第一排气泵和与上述第一排气泵相比连接在排气方向下游的第二阀门，其特征在于，上述程序在计算机中至少运行在上述第一阀门全开，上述第一排气泵动作的状态下，使上述第二阀门闭合的步骤，和对第一排气泵和上述第二阀门之间的排气通道内的压力进行监测的步骤。
按照本发明的第八发明方面，提供一种存储有如下程序的计算机可读取存储介质，该程序是在如下构成的真空装置中测量泄漏率用的程序，该真空装置包括在其内部容纳被处理体并对其进行处理的真空腔室、经过作为通导性可变阀门的第一阀门与上述真空腔室相连接的第一排气泵和经过第二阀门与上述第一排气泵相连接的第二排气泵，其特征在于，上述程序，在计算机中至少运行在上述第一阀门全开，上述第一排气泵停止运转的状态下，由上述第二排气泵将上述真空腔室内减压到规定压力以下的步骤、其后闭合上述第二阀门的步骤，以及在上述第二阀门闭合的状态下，对上述真空腔室内的压力进行监测的步骤。
按照本发明的第九发明方面，提供一种存储有如下程序的计算机可读取存储介质，该程序是在如下构成的真空装置中测量泄漏率用的程序，该真空装置包括在其内部容纳被处理体并对其进行处理的真空腔室、经过作为通导性可变阀门的第一阀门与上述真空腔室相连接的第一排气泵和在上述第一排气泵的排气方向下游连接的第二阀门，其特征在于，上述程序在计算机中至少运行在上述第一排气泵动作，而且上述第二阀门打开的状态下，将上述第一阀门设定在规定开度的步骤，以及测量上述真空腔室内压力的步骤。
在上述第九发明方面中，可包括通过将测量到的上述压力与上述第一阀门在规定开度时预先计算出的上述真空腔室内部的压力值进行比较推算出泄漏率的步骤。
按照本发明的第十发明方面，提供一种真空装置，该装置包括在其内部容纳被处理体对其进行处理的真空腔室，其特征在于，在上述真空腔室中连接着控制部，控制实施第一～第四发明方面的泄漏率测量方法。
按照本发明的第十一发明方面，提供一种真空处理系统，该系统包括多个第十发明方面的真空装置，其特征在于，它具有与上述控制部相连接而总括它们，对上述整个真空处理系统进行控制的总括控制部。
按照本发明，不用配备与通导性可变阀门邻接的闸阀或者与通导性可变阀门制成一体的闸阀(装有闸阀机构的APC阀)，就能够测量真空腔室的泄漏率。从而，不用对闸阀机构所必需的容易老化的O形圈进行维修，除了减少了维修所必需的装置停机时间以外，还能够降低因维修而产生的成本。
图1本发明真空装置的大致结构图。
图2表示装有闸阀机构的APC阀的大致结构图。
图3是用来说明蝶形阀大致结构的图，(a)是平面图，(b)是表示与涡轮分子泵邻接配备的使用状态断面图。
图4是说明真空装置变形实施例的大致结构图。
图5是表示包括真空装置的真空处理系统的大致结构图。
图6是控制部的大致结构图。
图7是表示另一种真空处理系统的大致结构图。
图8是表示涉及第一实施方式的泄漏率测量方法的大致流程图。
图9是在第一实施方式的泄漏率测量时表示排气部状态的模式图。
图10是表示在通过第一实施方式进行泄漏率测量时的真空腔室压力变动的图。
图11是表示涉及第二实施方式的泄漏率测量方法大致情况的流程图。
图12是表示在第二实施方式的泄漏率测量时的排气部状态的模式图。
图13是表示在通过第二实施方式进行泄漏率测量时的真空腔室压力变动的图。
图14是表示涉及第三实施方式的泄漏率测量方法的大致流程图。
图15是在表示第三实施方式的泄漏率测量时的排气部状态的模式图。
图16是表示在通过第三实施方式进行泄漏率测量时的真空腔室压力变动的图。
图17是表示涉及第四实施方式的泄漏率测量方法的大致流程图。
图18是表示在第四实施方式的泄漏率测量时的排气部状态的模式图。
符号说明1真空装置；2真空腔室3基座；4排气口；5喷淋头；21APC阀22涡轮分子泵；23阀门；24干式泵；30控制部；W半导体晶片。
具体实施例方式
下面参照
本发明的优选实施方式。图1是表示涉及本发明第一实施方式的真空装置1的大致结构的图。此真空装置1，由一对电极板构成上下平行相对的平行平板型等离子体处理装置，适合于在制造半导体装置的过程中进行蚀刻处理时使用。
真空装置1在真空腔室2内具有是作为被处理体的半导体晶片(下面简称为“晶片”)W的载置台，而且作为下部电极发挥功能的基座3。在与此基座3平行相对的上方位置上，设有具有接地的上部电极功能的喷淋头5。在基座3和喷淋头5之间的间隔，可以通过设置在基座3的图中未显示的升降机构进行调节。
在喷淋头5上连接着气体供给管8，此气体供给管8经过阀门9、流量调节器10和阀门11连接着气体供给源12。在图1至只是叙述了一个气体供给源12，根据处理气体的种类不同，可以连接配备多个。来自这样的气体供给源12的气体，经过气体供给管8到达喷淋头5内的气体供给室7中，从气体排出口6均匀地排出到真空腔室2内。
在具有作为下部电极功能的基座3上，通过图中未显示的匹配器连接着高频电源13，此高频电源13可以向作为下部电极的基座3供给任意频率的高频电力。
在真空腔室2的底部形成排气口4，在此排气口4上依次连接着作为通导性可变阀门(流导可变阀门)的APC阀(自动压力控制阀)21、作为第一排气泵的涡轮分子泵(TMP)22、作为第二阀门的阀门23和作为第二排气泵的干式泵(DP)24构成排气部。如此，在本实施方式的真空装置1中，其结构省略了过去在涡轮分子泵22的排气方向上游处配备的与通导性可变阀门邻接(或者作为装有闸阀机构的通导性可变阀门)配备的闸阀的功能。按照这样的结构，减轻了更换闸阀(装有闸阀机构的通导性可变阀门)所必需的容易老化的O形圈等维修操作。从而，能够大幅度地减少为了维修而要装置停机的次数和停机时间，降低了更换零件带来的成本，抑制了装置停机带来的成本。也能够防止从老化的O形圈处气体泄漏而造成的事故，也能够提高真空装置的安全性。
APC阀门21的结构使得能够基于由用来测量真空腔室2内压力的压力计(PG)25测量的压力值，经过控制部30(将在下面叙述)改变通导性(流导性conductance)，实行压力的自动控制。
过去，作为装有闸阀机构的通导性可变阀门，使用了比如在图2中所示的振子式阀门50。此振子式阀门50的作用方式是，由步进电机51使一个平板(阀体)52在水平方向上摆动，在排气通道内进出、退避，由此调节通导性，在作为闸阀功能的情况下，通过柱塞55的作用使得包括了O形圈53的堵塞件54降下，将排气通道堵塞。
但是，在本实施方式的真空装置1中，由于不需要闸阀的功能，可以使用各种方式的通导性可变阀门。比如，如在图3(a)中所示，可以使用蝶形阀门60，该阀门具有将一对大致呈半圆形的平板61、62对称地放置得到的阀体，以各个半圆形平板61、62的相当于弦的直线状边缘部分作为旋转中心，通过转动来调节开度，从而调节通导性。由于此蝶形阀60具有通过平板61、62向同侧(比如排气方向上游侧)立起任意的角度来调节开度的结构，如在比如图3(b)中所示，在其下方直接连接上涡轮分子泵22，由于相对于排气通道断面垂直方向上的尺寸变小，与在图2中所示的振子式通导性可变阀门相比，具有设置空间大幅度缩小的优点。
在如上结构的真空装置1中，将晶片W放置在基座3上，在涡轮分子泵22和干式泵24将真空腔室2内抽真空到规定的真空状态下，将来自气体供给源12的蚀刻气体控制在规定的流量下，供给到真空腔室2内。在此状态下，通过在作为下部电极的基座3上施加高频电力，使得在真空腔室2内产生高频电场，就可以使蚀刻气体等离子体化，对晶片W进行蚀刻处理。
在图1的真空装置1中，在涡轮分子泵22的次级侧(排气方向的下游侧)经过管道配备了干式泵24。在涡轮分子泵22上，由清洗气体管线(图1中未显示)以固定流量供给N2等清洗气体，由干式泵24的性能和从涡轮分子泵22到干式泵24的管道长度，决定了涡轮分子泵22次级侧的压力值(背压值)。但是，由于从真空装置1的气体供给源12供给到真空腔室2中气体种类的不同，比如在排放出H2等难以流动的气体时，受到涡轮分子泵22背压值的影响，有时涡轮分子泵22吸入口的压力会发生变动。
在此，作为图1真空装置1的变形实例，如在图4中所示的真空装置40那样，在作为第二阀门的阀门23下游设置用来监测涡轮分子泵22背压的压力计等传感器29，同时在向涡轮分子泵22供给清洗气体(purge gas净化气体)的清洗气体管线42上，可以设置具有流量控制功能的阀门V3。由此，在从N2气供给源41经过阀门V3将作为清洗气体的N2气供给到涡轮分子泵22时，用传感器29监测涡轮分子泵22的背压，基于此测量的压力，用阀门V3来调节N2气体的流量，就能够控制涡轮分子泵22的背压。
也就是说，在图4结构的真空装置40中，通过对传感器29和阀门V3的协同反馈控制，使得供向涡轮分子泵22的气体N2的清洗量变动，由此就能够将涡轮分子泵22的背压控制到一定。按照如此的结构，抑制了由于涡轮分子泵22次级侧排气系统的影响(比如管道长度或干式泵24的性能等)造成的涡轮分子泵22吸气口压力的变化，能够稳定地进行真空腔室2内的压力控制。
图5是表示包括图1的真空装置1的真空处理系统100大致结构的平面图。此真空处理系统100的结构，使得能够在规定真空下对作为被处理体的晶片W实施蚀刻处理等。
此真空处理系统100包括3个处理舱110A、110B和110C，各个处理舱110A、110B和110C具有各自独立的真空装置1(1a、1b和1c)。各个处理舱110A～110C的结构是同样的，所以在此以处理舱110A为例进行说明。
处理舱110A的结构具有真空装置1a、负载锁定室107a和介于它们之间的闸阀108a。
在真空装置1a上连接着用来控制真空腔室2内压力的模块控制器(Module Controller以下简称为MC)305a。有关此MC305a将在下面叙述。在负载锁定室107a的与真空装置1a相反的一侧，经过闸阀106a设有加载单元103，在加载单元103的与负载锁定室107a相反一侧，经过装有能够容纳晶片W的前开式晶片盒(FOUP)101的3个连接端口(图中未显示)分别设有3个前开式晶片盒载置台102。
真空装置1a由于闸阀108a的开放而与负载锁定室107a相连通，通过关闭闸阀108a而与负载锁定室107a隔断。负载锁定室107a由于闸阀106a的开放而与加载单元103相连通，通过其闭合而与加载单元103隔断。在负载锁定室107a内，在真空装置1a和加载单元103之间，设有对作为被处理体的晶片W进行送入取出的晶片输送装置(图中省略)。
在加载单元103的顶部设有HEPA过滤器(图中未显示)，通过此HEPA过滤器的清净空气在向下流动的状态下供给到加载单元103内，在大气压的清净空气环境中，进行晶片W的搬入搬出。在加载单元103一端的侧面设有定向器105，以此使晶片W就位。
在加载单元103内，设有对晶片盒101进行晶片W送入取出和对负载锁定室107a进行晶片W送入取出的晶片输送机构104。此晶片输送机构104具有多关节臂的结构，在其前端的拾取部104a上载有晶片W对其进行输送。
真空处理系统100，包括在加载单元103的长边方向的一端配置的用户接口106。用户接口106具有输入部(键盘)和由比如LCD(液晶显示器)构成的显示部(监视器)，该显示部显示出真空处理系统100各结构要件的动作状况。
在真空处理系统100中的整体控制或真空装置1的真空腔室2内的压力控制等都是由控制部30(参照图1)进行的。图6表示控制部30的大致结构。如在图6中所示，控制部30包括作为总括控制部的EC(装置控制器)301、与真空装置1相对应设置的多个、比如3个MC305a、305b、305c以及连接EC301与MC305a～305c的交换机304。MC不仅配备在真空装置1a～1c中，也配备在比如负载锁定室107a～107c或加载单元103中，它们也总括在EC301之下，但在此省略了图示和说明。
控制部30，从EC301经过LAN(局域网)连接着对设置真空处理系统100的工厂所有制造工序进行管理的作为MES(制造执行系统)的主计算机501。主计算机501与控制部30联动，将在工厂中有关工序的实时信息反馈给基干业务系统(省略了图示)的同时，考虑工厂整体负荷等进行有关工序的判断。
EC301是对各MC305a～305c总括而对真空处理系统100的整体动作进行控制的总括控制部。EC301具有CPU(图中未显示)、RAM、HDD等的存储部303，CPU从存储部303读取与在用户接口106上由用户等指定的晶片处理方法(即包括压力条件的处方)相对应的程序(包括测量点的位置信息)，通过将与此处方相对应的控制程序送到各个MC305a～305c，就能够对各个处理舱110A～110C中的处理进行控制。
MC305a～305c是控制各个处理舱110A～110C动作的通常的控制部。各个MC305a～305c，经过由被称为GHOST(通用高速优化可度量收发器General High-speed Optimum Scalable Transceiver)的LSI实现的网络309分别连接到各个I/O(输入/输出)模块308上。在GHOST网络309中，MC305a～305c相当于主节点，I/O模块308相当于从属节点。
I/O模块308具有与参与真空腔室2内的压力控制的各结构要件(终端器件)相连接的多个I/O部分310(图中只显示出4个)，对送入终端器件的控制信号和从终端器件输出的信号进行转达。在此，作为有关压力控制的终端器件，可以举出比如上述的涡轮分子泵22、干式泵24、压力传感器(压力计25等)、各种阀门(APC阀21、阀门23、阀门V3等)和开关盒(SW BOX)313等。在图6中为了方便只是代表性地表示了一部分终端器件和I/O部分310的连接。在GHOST网络309中，也与控制在I/O部分310中的数字信号、模拟信号以及串行信号的输入输出的I/O板)(图中未显示)相连接。
上述交换机304，根据来自EC301的控制信号切换作为EC301的相连接方的MC305a～305c。
如上所述，MC305a～305c，在各处理舱1a～1c中，采集被压力计25所测量的真空腔室2内的压力值的同时，还基于该压力值改变APC阀21的通导性，决定涡轮分子泵22或干式泵24的动作状态和各种阀门(阀门23和阀门V3等)的开闭等，从而控制真空腔室2内的压力。
比如，各MC305a～305c，能够分别经过I/O模块308交换涡轮分子泵22和干式泵24的启动/停止等各种信号或报警等。由此，当来自涡轮分子泵22和干式泵24的泵状态信号或报警信号被供给到I/O模块308时，在I/O板310上变换为串行信号，通过局部GHOST局域网经由阀门计算部(VCNT)311、开关部(SW)312送到开关盒(SW BOX)313处。由此开关盒313的发光二极管(LED)等显示部件发光或熄灭。
在图6中所示的控制部30中，多个终端器件不与EC301直接相连，与该多个终端器件相连接的I/O部分310构成了模块化的I/O模块308，由于该I/O模块308经由MC305a～305c以及交换机304与EC301相连接，能够使通信系统简单化。
在MC305a～305c的CPU发送的控制信号中，通过参照与所需终端器件相连接的I/O部分310的地址，参照包括该I/O部310的I/O模块308的地址、参照MC305a～305c的GHOST在控制信号中的I/O部分310的地址，就没有必要进行交换机304等向CPU输送控制信号方的询问，由此就能够实现控制信号平滑的转送。
控制部30也可以包括作为数据采集记录部的数据采集用服务器314，用来经济地采集从作为压力测量部件的压力计25(参照图1)输出的数据。在此情况下，从压力计25输出的数据信号，作为模拟信号取出被输入到I/O部分310，经由GHOST网络309或局域网输入到数据采集用服务器314中。
在如此结构的真空处理系统100中，可以首先由保持在大气压的清净空气环境中的加载单元103中的晶片输送机构104，将从任何一个前开式晶片盒101中取出的一片晶片W送入定向器105中，使晶片W定位。然后将晶片W送入负载锁定室107a～107c中的任何一个中，在将此负载锁定室内抽真空以后，由图中未显示的输送装置将在此负载锁定室中的晶片W放入真空装置1a～1c的任何一个真空腔室2中，在高真空状态下进行蚀刻等处理。此后，将晶片W送入负载锁定室107a～107c中的任何一个中，待其中恢复到大气压以后，由加载单元103内的晶片输送机构104将在负载锁定室内的晶片W取出，放在前开式晶片盒101中的任何一个上。对一批晶片W进行这样的操作，就结束了一批的处理。
按照如上结构的真空处理系统100，由于包括了在作为总括控制部的EC301的支配下进行控制的MC305a～305c，以由作为压力测量部件的压力计25测量到的真空腔室2内的压力为基础，能够以很高的可靠性控制APC阀21的通导性调整、涡轮分子泵22或干式泵24的动作/非动作的切换。
图7是涉及与图5不同的实施方式的真空处理系统的大致结构图。如在图7中所示，此真空处理系统200，是在稍微细长的六边形传送单元263的四边上，具有6个加工单元(真空装置)261a～261f的多室型真空处理系统。各个加工单元261a～261f的结构都与图1中的真空装置1是同样的。在各加工单元261a～261f，连接着用来控制真空腔室2内压力的作为模块控制器的MC305d～305i。由于这些MC 305d～305i具有与前面所述的同样结构和功能，就省略说明(参照图6)。
在图7中，基板处理系统200包括其平面视图是六边形的传送单元263、放射状配置在该传送单元263周围的6个加工单元261a～261f、加载单元213、配置在上述传送单元263和加载单元213之间、连接传送单元263和加载单元213的两个负载锁定室243和244。
也就是说，在负载锁定室243和244的与传送单元263相反的一侧设有加载单元213。因此，在加载单元213的与负载锁定室243、244相反的一侧设有安装可收容晶片W的前开式晶片盒(FOUP)201的3个连接端口220。前开式晶片盒201被放置在载置台202上。
传送单元263和加工单元261a～261f维持内部压力为真空，传送单元263分别经由真空闸阀262与传送单元263和各加工单元261a～261f相连。
在真空处理系统200中，加载单元213内部的压力维持在大气压，而传送单元263内部的压力则维持在真空。为此，各负载锁定室243、244在分别与传送单元263的相连接部包括真空闸阀249，同时在与加载单元213的连接部包括大气门式阀250，由此构成能够调节其内部压力的真空预输送室。各负载锁定单元243、244，具有晶片载置台253，用来临时放置在加载单元213和传送单元263之间过渡的晶片。
传送单元263包括由两个标量臂型(scalar arm)输送臂组成的输送臂单元268。该输送臂单元268沿着配置在传送单元263内的导轨269移动，在各加工单元261a～261f和各负载锁定单元243、244之间输送晶片W。
在加载单元213的顶部，设有HEPA过滤器(图中未显示)，通过此HEPA过滤器的清净的空气以向下流动的状态供给到加载单元213内，在大气压的清净空气环境下进行晶片W的送入和取出。在加载单元213一端的侧面上设有定向器216，在此进行晶片W的定位。
在加载单元213内，设有晶片输送机构204，进行晶片W相对于前开式晶片盒201的送入取出以及晶片W相对于负载锁定单元243、244的送入取出。此晶片输送机构204具有多关节臂的结构，在其前端的拾取部(图中未显示)放置着晶片W对其进行输送。
真空处理系统200，包括配置在加载单元213的长边向一端的用户接口288。用户接口288具有输入部(键盘)和由比如LCD(液晶显示器liquid crystal display)构成的显示部(监视器)，该显示部显示真空处理系统200的各结构要件的动作状态。
在将加载单元213夹在它们之间的定向器216的相反一侧配备有IM(集成测量仪Integrated Metrology)217，。此IM217是用来准确地把握CD(临界尺寸Critical Dimention)的偏差或栅极绝缘膜、容量绝缘膜等膜厚偏差的测量部。在IM217中配备有晶片载置台221和传感器222。作为传感器222，在比如测量CD值的情况下，除了可以使用用来测量晶片W上的图形加工尺寸的光学测量部件以外，还可以使用CD-SEM(临界尺寸测量扫描电子显微镜Critical DimentionMeasurement Scanning Electron Microscope)或电子束全息照相等。在进行膜厚测量的情况下，可以使用X射线光电子分光分析装置(XPS)、俄歇电子分光分析装置(AES)、真空紫外线(VUV)椭圆仪等作为传感器222。
在加载单元213配备前开式晶片盒201的一侧，设有颗粒检测部218。此颗粒检测部218是检测晶片W表面上颗粒(微粒)的部件，具有晶片载置台223和基于比如散射光检测方式、光学成像比较方式等的光学测量部件224。
由控制部30(参照图1)进行真空处理系统200中的整体控制或加工单元261a～261f的真空腔室2内的压力控制。控制部30的结构是按照在图6中说明的标准制作，在此就省略了说明。
在如此结构的真空处理系统200中，可以将形成有水印的晶片W送入加工单元261a～261f中的任何一个，进行蚀刻等处理。首先，由保持在大气压的清净空气环境下的加载单元213内的晶片输送机构204，从任何一个前开式晶片盒201上取出一片晶片W将其送入定向器216中将晶片W定位。
然后，可以将晶片W送入负载锁定单元243、244中的任何一个，在将此负载锁定单元内抽真空以后，由输送臂单元268将在该负载锁定单元中的晶片W，通过传送单元263送入到加工模块261a～261f中的任何一个真空腔室中，进行蚀刻等处理。此后，再由输送臂单元268将晶片W送入到负载锁定单元243、244中的任何一个中，待其中恢复到大气压以后，由加载单元213内的晶片输送机构204取出负载锁定单元243、244中的晶片W，将其收容在前开式晶片盒201中的任何一个上。对一批晶片W进行这样的操作，到一批的处理结束。
按照如上结构的真空处理系统200，由于包括了在作为总括控制部的EC301的支配下进行控制的MC305d～305i，例如以由作为压力测量部件的压力计25测量到的真空腔室2内的压力为基础，能够以很高的可靠性控制APC阀21的通导性调整、涡轮分子泵22或干式泵24的动作/非动作等的切换。
下面适当地参照图8～18说明在上述真空装置1中测量泄漏率的方法。如上所述，在真空装置1中，采用了在涡轮分子泵22的上游不配备闸阀的结构。过去的闸阀在进行泄漏率的测量时是为了将真空腔室2密封而配备的，但在图1的真空装置1中，可以用如下的方法进行泄漏率的测量。
<第一实施方式>
图8是表示在由第一实施方式的泄漏率测量方法进行泄漏率测量的情况下的控制顺序的流程图，图9是表示在第一实施方式中进行泄漏率测量时排气部动作状态的图，白色的表示阀门处于开放的状态，而涂黑的阀门表示处于闭合状态，而网状点的阀门意味着在开放和闭合之间采取一定的开度(图12、15和18都是同样的)。在下面的说明中，为了方便，将作为第二阀门的阀门23标为阀门V1。
在本实施方式中，设有从在涡轮分子泵22和阀门V1(阀门23)之间的排气通道分出的、在连通状态下连接着真空腔室2的循环管道26，通过监测由于泄漏气体的循环而导致真空腔室2内的压力上升测量出泄漏率。
从图8的步骤S1到步骤S5，是用来决定APC阀门21的通导性的顺序，从步骤S6到步骤S8是测量泄漏率前的准备顺序，而步骤S9到步骤S14是泄漏率测量的顺序。
在本实施方式中，作为检测泄漏前的状态，涡轮分子泵22和干式泵24处于启动状态，APC阀21全开，阀门V1开放，阀门V2闭合，阀门V3开放。
首先在步骤S1中，关闭阀门V3。然后以预先设定的流量从气体供给源12向真空腔室2内导入比如N2等气体(步骤S2)。在步骤S3中，调节APC阀21的开度使真空腔室2内达到规定的压力。然后在步骤S4中，在调节的开度下判断真空腔室2内的压力和流量是否稳定。结果，在压力和流量不够稳定的情况下(No)，继续测量压力和流量直到它们稳定。
另外，在步骤S4中在判断真空腔室2内的压力和流量是稳定(Yes)的情况下，在步骤S5中存储下APC阀门21的开度，比如作为阀体位置的位置A。
在步骤S6中，一旦APC阀21全开，就在接着的步骤S7中停止从气体供给源12导入N2气体等。在此状态下，监测真空腔室2内的压力P1，在步骤S8中判断压力P1是否达到规定值以下。结果当判断压力P1不在规定值以下(No)的情况下，就维持气体导入的停止状态，直至压力P1达到规定值以下。而当在步骤S8中判断压力P1在规定值以下(Yes)的情况下，将APC阀21的开度调节到在上述步骤S5中存储的位置A(步骤S9)。然后在步骤S10中，如图9所示闭合阀门V1，开放阀门V2，将气体导入循环管道26。在步骤S11中，待机直至气体循环达到稳定，此后在步骤S12中开始测量真空腔室2内的压力P1。在步骤S13中，判断是否从步骤S12的测量开始经过了预先设定的时间，在没有经过的情况下(No)继续进行测量。而在步骤S13中判断已经经过了设定时间(Yes)的情况下，从测量时间内的压力上升率计算出泄漏率(步骤S14)。
通过如此的处理，被测量的真空腔室2内的压力显示出如图10中所示的变化。在图10中，一起给出了在图1的真空腔室2中配备具有闸阀功能的APC阀门使用累积法测量情况下的真空腔室2内的压力变化情况。从图10中可以看出，在使气体循环测量压力的第一实施方式中，真空腔室2内的压力上升是线性的。可以确认，此直线的斜率与基于累积法测量的结果不同，但通过预先计算出的修正系数，能够由第一实施方式的泄漏率测量方法测量的真空腔室2内的压力计算出实际的泄漏率。
<第二实施方式>
图11是表示在用第二实施方式的泄漏率测量方法测量泄漏率的情况下的控制顺序的流程图。图12是表示在第二实施方式中进行泄漏率测量时的排气部动作状态的图。在本实施方式中，在涡轮分子泵22和阀门V1(阀门23)之间的管道上装有压力计27，通过监测涡轮分子泵22的背压，即涡轮分子泵22和阀门V1之间管道内的压力P2来测量泄漏率。
从图11的步骤S21到步骤S22是泄漏率测量前的准备顺序，从步骤S23到步骤S27是泄漏率的测量顺序。
在本实施方式中，作为泄漏检测前的状态，涡轮分子泵22和干式泵24处于启动状态，APC阀门21全开，阀门V1打开，阀门V3也打开。
首先在步骤S21中关闭阀门V3。然后在步骤S22中监测真空腔室2内的压力P1，判断压力P1是否在规定值以下。结果在判断压力P1不在规定值以下(No)的情况下，进一步减压直至压力P1达到规定值以下。而在步骤S22中判断压力P1在规定值以下(Yes)的情况下，如在图12中所示，在步骤S23中关闭阀门V1。然后在步骤S24中，待机直至涡轮分子泵22和阀门V1之间管道内的压力达到稳定，此后在步骤S25中开始压力P2的测量。然后在步骤S26中，判断从步骤S25的测量开始是否经过预先设定的时间，在没有经过(No)的情况下，继续进行测量。而在步骤S26判断为经过了设定时间(Yes)的情况下，从在测量时间内的压力上升率计算出泄漏率(步骤S27)。
图13表示在由于不同的流量控制部件10遮挡住气体，将试验中的泄漏率分别设定在0.02mL/min(sccm)、0.2mL/min(sccm)、0.4mL/min(sccm)和0.6mL/min(sccm)的情况下压力P2随时间的推移情况。显示出在各个泄漏率下的压力P2的测量值各自都按照大致线性推移。从而通过监测涡轮分子泵22的排气方向下游的背压，就能够相对地把握住泄漏率。
<第三实施方式>
图14是表示用第三实施方式的泄漏率测量方法测量泄漏率的情况下的控制顺序的流程图。图15是表示在第三实施方式中进行泄漏率测量时的排气部的状态的图。在本实施方式中，从涡轮分子泵22停止，用干式泵24对真空腔室2内抽真空的状态下开始监测真空腔室2内的压力上升，来测量泄漏率。
从图14的步骤S31到步骤S32是测量泄漏率前的准备顺序，从步骤S33到步骤S37是泄漏率的测量顺序。
在本实施方式中，作为进行泄漏检测前的状态，涡轮分子泵22停止，干式泵24处于启动状态，APC阀门21全开，阀门V1开放，阀门V3也开放。
首先在步骤S31中，关闭阀门V3。然后在步骤S32中，监测真空腔室2内的压力P1，判断压力P1是否在规定值以下。结果在判断出压力P1不在规定值以下(No)的情况下，进一步减压直至压力P1达到规定值以下。而在步骤S32中判断压力P1在规定值以下(yes)的情况下，如在图15中所示，在步骤S33中关闭阀门V1。然后在步骤S34中，待机直至真空腔室2内的压力达到稳定，在步骤S35中开始测量压力P1。在本实施方式中，监测真空腔室2、APC阀门21、涡轮分子泵22直到阀门V1的管道的全部容积中的压力变动。
在步骤S36中，判断从步骤S35的测量开始是否经过了预先设定时间，在没有经过(No)的情况下，继续进行测量。而在步骤S36中判断出经过了设定时间(Yes)的情况下，从测量时间内的压力上升率计算出泄漏率(步骤S37)。
图16中表示的是由这样的处理测量出的压力P1随时间推移的情况(直线a)。在此图16中，同时给出代替图1的真空装置1的APC阀门21而配备了装有闸阀机构的APC阀门，由干式泵24抽真空后在装有闸阀机构的APC完全闭合的情况(直线b)和用涡轮分子泵22抽真空以后装有闸阀机构的APC完全闭合的情况(直线c)的基于累积法(built-up)的测量结果。
从图16中显示出，直线a～c分别是开始测量时的压力不同而相当于压力上升率的各直线的斜率大致相近，直线a是0.143，直线b是0.149，而直线c是0.170。这就是说，第三实施方式的泄漏率测量方法与累积法(直线b、c)同样反映了泄漏率。从而可以确认，使用此第三实施方式的泄漏率测量方法能够测量实际的泄漏率。
<第四实施方式>
图17是表示用第四实施方式的泄漏率测量方法测量泄漏率的情况下控制顺序的流程图。图18是表示在第四实施方式中进行泄漏率测量时排气部状态的图。在本实施方式中，在将APC阀21设定在任意通导性的状态下，通过启动涡轮分子泵22，测量真空腔室2内的压力来测量泄漏率。
从图18的步骤S41到步骤S45是用来决定APC阀21通导性的顺序，从步骤S46到步骤S48是泄漏率测量前的准备顺序，而从步骤S49到步骤S52是测量泄漏率的顺序。
在本实施方式中，作为泄漏检测前的状态，涡轮分子泵22和干式泵24处于启动状态，APC阀21全开，阀门V1开放，阀门V3也开放。
首先在步骤S41中关闭阀门V3。然后以预先设定的流量从气体供给源12向真空腔室2内导入比如N2等气体(步骤S42)。在步骤S43中，调节APC阀21的开度，使得真空腔室2内达到规定的压力。在步骤S44中，判断真空腔室2内的压力和流量是否稳定。结果在压力和流量不够稳定的情况下，继续测量压力和流量直至达到稳定。
而在步骤S44中判断出真空腔室2内的压力和流量是稳定的(Yes)的情况下，在步骤S45中将此开度(比如位置A)加以存储。
在步骤S46中，一旦APC阀21全开，就在接着的步骤S47中停止从气体供给源12导入N2等气体。在此状态下监测真空腔室2内的压力P1，在步骤S48中判断压力P1是否在规定值以下。结果在判断出压力P1不在规定值以下(No)的情况下，维持停止导入气体的状态，直至压力P1达到规定值以下。而在步骤S48中判断出压力P1在规定值以下(Yes)的情况下，将APC阀21的开度调节到在上述步骤S45中存储的位置A处(步骤S49)。然后在步骤S50中，待机直到压力P1稳定，然后在步骤S51中测量真空腔室2内的压力P1。
在本实施方式中，从测量到的压力P1的值计算出泄漏率(步骤S52)在步骤S52中，通过将被测量的上述压力P1与在预先计算出的上述规定开度(位置A)时上述真空腔室2内压力进行比较，推算出泄漏率。
比如在真空腔室2内的压力上升率是0.13[Pa/min(1×10-3Torr/min)]，真空腔室的容积是50[L]的情况下，标准上的泄漏率是6.58×10-2[mL/min(sccm)]。在设想此泄漏率时，在APC阀21的通导性分10段设定在1～10L/sec时，按照表1计算出在各通导性下真空腔室的压力值。
表1
从而，在这样的真空腔室2中，由于在将APC阀21设定在规定的开度，例如使其通导性为5L/秒的情况下，真空腔室2内的压力应该为0.0022Pa(1.67×10-4Torr)，可以从上述压力P1推算出实际的泄漏率。在此第四实施方式中，由于是一种测量真空腔室2内的基础压力，由其大小来把握泄漏率的方法，所以优选将APC阀21的通导性设定得更小(即减小开度)。从而优选将APC阀21的通导性设定在比如1～10L/秒的范围内，更优选将其设定在1～5L/秒的范围内。
如上可以确认，即使在不配备闸阀(装有闸阀机构的APC阀)的真空装置1中，通过上述实施方式1～4的处理就能够测量泄漏率。
本发明并不限定在上述实施方式中，可以进行各式各样的变化。比如在图1的实施方式中，举出了平行平板型等离子体蚀刻装置的例子，但也并不限于此，还适合于使用永久磁铁的磁控管RIE等离子体蚀刻装置或感应耦合型等离子体蚀刻装置等各种等离子体蚀刻装置。本发明还并不限于蚀刻装置，比如在成膜装置等要求于高真空状态下进行处理的各种半导体制造装置都是适用的。
通过将记录有实现上述实施方式功能的软件的程序编码的存储介质，通过EC301的CPU读取并运行存储在存储介质中的程序编码，也就实现了本发明的目的。在此情况下，从存储介质读取的程序编码自身就实现了上述实施方式，而此程序编码和存储该程序编码的存储介质就构成了本发明。作为用来提供程序编码的存储介质，可以使用比如软盘、硬盘、磁性光盘、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW、磁带、非易失型储存卡、ROM等。也可以通过网络下载程序编码。
特别是通过CPU运行读取的程序编码，不仅实现上述实施方式的功能，还包括基于此程序编码的指令，在CPU上工作着的OS(操作系统)等进行一部分或全部实际的处理，通过此处理也会实现上述实施方式功能的情况。
此外，还包括如下的情况从存储介质读取的程序编码在写入在插入到EC301的功能扩张板或者连接在EC301的功能扩张单元中所具有的存储器后，根据该程序编码的指令，该功能扩张板或者功能扩张单元所具有的CPU等进行实际处理的一部或者全部，由此处力实现上述实施方式的功能。
进一步，上述程序编码的方式，由对象编码、解释器运行的程序编码、供给操作系统脚本数据(script data)等方式构成都是可以的。
权利要求
1.一种泄漏率的测量方法，该方法是测量如下构成的真空装置的泄漏率的泄漏率测量方法，该真空装置包括内部收容被处理体并进行处理的真空腔室、经过作为通导性可变阀门的第一阀门与所述真空腔室相连接的第一排气泵、与所述第一排气泵相比连接在排气方向下游的第二阀门，其特征在于，设有从所述第一排气泵和所述第二阀门之间的排气通道分支出来的、以连通状态与所述真空腔室相连接的循环通道，在所述第一阀门设定在规定的通导性，所述第二阀门闭合的状态下，由所述第一排气泵通过所述循环通道使气体向所述真空腔室循环，对所述真空腔室内的压力进行监测。
2.一种泄漏率的测量方法，该方法是测量如下构成的真空装置的泄漏率的泄漏率测量方法，该真空装置包括内部收容被处理体并进行处理的真空腔室、经过作为通导性可变阀门的第一阀门与所述真空腔室相连接的第一排气泵和与所述第一排气泵相比在排气方向的下游连接的第二阀门，其特征在于，在所述第一阀门全开，所述第一排气泵动作的状态下，所述第二阀门关闭，对第一排气泵和所述第二阀门之间的排气通道内的压力进行监测。
3.一种泄漏率的测量方法，该方法是测量如下构成的真空装置的泄漏率的泄漏率测量方法，该真空装置包括内部收容被处理体并进行处理的真空腔室、经过作为通导性可变阀门的第一阀门与所述真空腔室相连接的第一排气泵、经过第二阀门与所述第一排气泵相连接的第二排气泵，其特征在于，在所述第一阀门全开，所述第一排气泵停止的状态下，由所述第二排气泵将所述真空腔室内减压到规定压力以下后，所述第二阀门闭合，在此状态下对所述真空腔室内的压力进行监测。
4.一种泄漏率的测量方法，该方法是测量如下构成的真空装置的泄漏率的泄漏率测量方法，该真空装置包括内部收容被处理体并进行处理的真空腔室、经过作为通导性可变阀门的第一阀门与所述真空腔室相连接的第一排气泵和连接在所述第一排气泵的排气方向下游的第二阀门，其特征在于，在所述第一排气泵动作，而且所述第二阀门打开的状态下，将所述第一阀门设定在规定的通导性，测量所述真空腔室内的压力。
5.如权利要求4所述的泄漏率测量方法，其特征在于，通过将被测量到的所述压力与所述第一阀门为规定的通导性时预先计算出的所述真空腔室内部的压力值进行比较，推算出泄漏率。
6.如权利要求4所述的泄漏率测量方法，其特征在于，所述规定的通导性在10L/秒以下。
7.一种真空装置，其特征在于，该装置包括在内部收容被处理体并进行处理的真空腔室、经过作为不具有闸阀机构的通导性可变阀门的第一阀门与所述真空腔室相连接的第一排气泵、和与所述第一排气泵相比连接在排气方向下游的第二阀门。
8.如权利要求7所述的真空装置，其特征在于，该装置还包括与所述第二阀门相比连接在排气方向下游的第二排气泵。
9.如权利要求8所述的真空装置，其特征在于，所述第一排气泵是涡轮分子泵，而所述第二排气泵是干式泵。
10.如权利要求7所述的真空装置，其特征在于，所述第一阀门如下所述的阀门将略呈半圆形的一对板对称配置而制成阀体，以各个板的直线状的边部分作为旋转中心，通过使其转动调节开度从而可变地调节通导性。
11.如权利要求7所述的真空装置，其特征在于，该装置还包括从所述第一排气泵和所述第二阀门之间的排气通道中分出的、在连通状态下与所述真空腔室相连接的循环通道。
12.一种存储有如下程序的计算机可读取存储介质，其特征在于，该程序是用来测量一种真空装置泄漏率用的程序，该真空装置包括在内部收容被处理体并进行处理的真空腔室、经过作为通导性可变阀门的第一阀门与所述真空腔室相连接的第一排气泵、与所述第一排气泵相比连接在排气方向下游的第二阀门和在所述第一排气泵和所述第二阀门之间的排气通道上分出的、以连通状态与所述真空腔室相连通的循环通道，所述程序在计算机中至少运行将所述第一阀门设定在规定开度的步骤、在所述第二阀门闭合的状态下，利用所述第一排气泵，通过所述循环通道使气体向所述真空腔室循环的步骤，以及对所述真空腔室内的压力进行监测的步骤。
13.一种存储有如下程序的计算机可读取存储介质，其特征在于，该程序是用来测量一种真空装置泄漏率用的程序，该真空装置包括在内部容纳被处理体并进行处理的真空腔室、经过作为通导性可变阀门的第一阀门与所述真空腔室相连接的第一排气泵、和与所述第一排气泵相比连接在排气方向下游的第二阀门，所述程序在计算机中至少运行在所述第一阀门全开，所述第一排气泵动作的状态下，使所述第二阀门闭合的步骤，和对第一排气泵和所述第二阀门之间的排气通道内的压力进行监测的步骤。
14.一种存储有如下程序的计算机可读取存储介质，其特征在于，该程序是用来测量一种真空装置泄漏率用的程序，该真空装置包括在内部容纳被处理体并进行处理的真空腔室、经过作为通导性可变阀门的第一阀门与所述真空腔室相连接的第一排气泵、和经过第二阀门与所述第一排气泵相连接的第二排气泵，所述程序，在计算机中至少运行在所述第一阀门全开，所述第一排气泵停止运转的状态下，由所述第二排气泵将所述真空腔室内减压到规定压力以下的步骤、其后闭合所述第二阀门的步骤、以及在所述第二阀门闭合的状态下，对所述真空腔室内的压力进行监测的步骤。
15.一种存储有如下程序的计算机可读取存储介质，其特征在于，该程序是用来测量一种真空装置泄漏率用的程序，该真空装置包括在内部容纳被处理体并进行处理的真空腔室、经过作为通导性可变阀门的第一阀门与所述真空腔室相连接的第一排气泵和连接在所述第一排气泵的排气方向下游的第二阀门，其特征在于，所述程序在计算机中至少运行在所述第一排气泵动作，而且所述第二阀门开放的状态下，将所述第一阀门设定在规定开度的步骤，以及测量所述真空腔室内压力的步骤。
16.如权利要求15中所述的存储有程序的计算机可读取存储介质，其特征在于，该程序还包括通过将测量到的所述压力与所述第一阀门在规定开度时预先计算出的所述真空腔室内部的压力值进行比较推算出泄漏率的步骤。
17.一种真空装置，其特征在于，该装置包括在内部收容被处理体并进行处理的真空腔室，在所述真空腔室中连接着控制部，该控制部按照进行权利要求1所述的泄漏率测量方法的方式进行控制。
18.一种真空处理系统，其特征在于，该真空处理系统包括多个权利要求17所述的真空装置，该真空处理系统具有总括控制部，与所述控制部相连接将它们总括而对所述整个真空处理系统进行控制。
19.一种真空装置，其特征在于，该装置包括在内部收容被处理体并进行处理的真空腔室，在所述真空腔室中连接着控制部，该控制部按照进行权利要求2所述的泄漏率测量方法的方式进行控制。
20.一种真空装置，其特征在于，该装置包括在内部收容被处理体并进行处理的真空腔室，在所述真空腔室中连接着控制部，该控制部按照进行权利要求3所述的泄漏率测量方法的方式进行控制。
21.一种真空装置，其特征在于，该装置包括在内部收容被处理体并进行处理的真空腔室，在所述真空腔室中连接着控制部，该控制部按照进行权利要求4所述的泄漏率测量方法的方式进行控制。
全文摘要
本发明提供一种在排气部不使用闸阀的真空装置中，能够准确地测量真空腔室泄漏率的泄漏率测量方法。该方法是对测量如下构成的真空装置的泄漏率的泄漏率测量方法，该真空装置包括内部收容被处理体并进行处理的真空腔室、经过作为通导性可变阀门的第一阀门与真空腔室相连接的第一排气泵、连接在第一排气泵排气方向下游的第二阀门，该装置设有从所述第一排气泵和所述第二阀门之间的排气通道分支出来的、以连通状态与真空腔室相连接的循环通道，在所述第一阀门设定在规定的通导性，所述第二阀门闭合的状态下，由所述第一排气泵通过所述循环通道使气体向所述真空腔室循环，对所述真空腔室内的压力进行监测。
文档编号C23C14/00GK1835200SQ20061000836
公开日2006年9月20日 申请日期2006年2月21日 优先权日2005年3月16日
发明者北泽贵, 小林敦, 手塚一幸 申请人:东京毅力科创株式会社