技术编号：3404975
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于合金材料制备领域，特别涉及金属间化合物硅钼化物基复合材料的制备。背景技术MoSi2具有高达2030～2050℃的熔点，较低的密度(6.24g/cm3)，良好的抗氧化能力，与金属同水平的导热性以及低的热膨胀系数，可以满足作为高温结构材料的基本要求。更重要的是，该化合物虽然在室温表现出与陶瓷同样的脆性，但它具有韧脆转变行为，在韧脆转变温度以上，位错的运动和反应明显激活，强度受塑性形变控制。因此，在使用温度下，将比结构陶瓷具有更高的可靠性。另外，MoS...
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