技术编号：3405107
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体涉及晶体生长，特别是涉及用于生长金属单晶的方 法和装置。还更尤其是，本发明涉及通过塑性应变生长大单晶金属 的方法和装置。2、 相关领域的描述由于晶界的存在，多晶的金属经常具有有限的高温抗蠕变性和 低温脆性。相反，由于不存在晶界，单晶金属经常具有良好的机械 特性。因此，对于许多应用，相对于多晶的金属优选单晶金属。当前用于制备单晶金属的技术主要基于以下五种基本方法之(a) 通过各种沉淀处理，緩慢生长薄膜单晶(目前在半导体工业中 使用)；(b) 使用晶...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。