技术编号：3405505
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及形成铪系薄膜的技术。 背景技术 有人提案了使用四卤化铪、四(二烷基氨基)铪、四(烷氧基)铪或四(β-二酮)铪，通过化学气相生长方法或原子层控制生长方法形成铪系薄膜。 然而，在形成铪系薄膜时必需使上述化合物气化。于是，为了气化而将上述化合物加热。 但是，四卤化铪和四(β-二酮)铪为固体。因此难以气化，难以供应稳定的气体。即，难以稳定供应原料，因此无法稳定形成高品质的铪系薄膜。 四(二烷基氨基)铪的热稳定性低。因此加热气化时发生分解。所以难以供...
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