技术编号:3405753
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于太阳能材料范围,特别涉及到基于氢化硅的半导体薄膜的制作工艺。技术背景太阳能光伏发电是获得有利于环境的可再生能源的重要途径之一,薄膜太阳能电池代表 着光伏技术的发展趋势。包括氢化非晶硅和氢化纳米晶硅的被统称为氢化硅薄膜的材料是薄 膜太阳能技术的首选光电转换材料。基于氢化硅薄膜的太阳能电池具有低成本,便于大面积 制造集成的优点,但是相比于传统的晶体硅光伏器件,其转换效率偏低。比如作为具有最低 生产成本的非晶硅太阳能电池的一个最大缺点就是其稳定性随着电...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。