技术编号:3407778
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种半导体工艺,尤其涉及一种用于调节化学气相沉积反应腔中 喷管到电子吸盘的垂直距离的调节装置。背景技术在半导体领域中,反应腔是常用的设备,可用于化学气相沉淀、物理气相沉淀、以 及刻蚀等工艺过程。晶圆在反应腔中进行沉积、生长薄膜等过程,对于晶圆来说,均勻性是 晶圆质量的主要因素,也是产品质量的重要因素,而温度的一致性对晶圆表面薄膜均勻性 有重要的影响。图1为现有技术中所述化学气相沉积反应腔的俯视图,参考图1,其中反应腔的腔 壁101,上设置有若...
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