专利名称：一种调节装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体工艺，尤其涉及一种用于调节化学气相沉积反应腔中 喷管到电子吸盘的垂直距离的调节装置。
背景技术：
在半导体领域中，反应腔是常用的设备，可用于化学气相沉淀、物理气相沉淀、以 及刻蚀等工艺过程。晶圆在反应腔中进行沉积、生长薄膜等过程，对于晶圆来说，均勻性是 晶圆质量的主要因素，也是产品质量的重要因素，而温度的一致性对晶圆表面薄膜均勻性 有重要的影响。图1为现有技术中所述化学气相沉积反应腔的俯视图，参考图1，其中反应腔的腔 壁101，上设置有若干喷管103，，喷管103，固定在腔壁101，上，喷管103，的头部位于电子 吸盘105’的顶部。在化学气相沉积过程中，晶圆固定在电子吸盘105’的顶部，喷管103’ 喷出相应物质在晶圆表面沉积或生长薄膜。所述喷管103’均勻固定在腔壁101’上，且两 两相对，如图1所示所述喷管103’可以为八个，均勻分布且两两相对，所述喷管103’的材 质为石英，所述石英具有良好的耐热能力且不会吸附化学气象沉积中喷出的离子。所述喷 管103’与腔壁101’中的铝制管道(图中未标示出)相连，由于所述铝制管道已固定安装 好，故喷管103’的倾角固定不变，但所述喷管103’伸出的长度不同，为使化学气相沉积过 程中晶圆沉积、生长的薄膜具有良好的均勻性，要求每个喷管103’的顶端到电子吸盘105’ 的垂直距离要相等，尤其是位置相对的喷管103’的高度相等。而现有技术只能通过目测所 述喷管的高度或用直尺直接测量喷管103’到电子吸盘105’的高度进行调节，所述目测的 调节方法非常不准确，采用直尺直接测量的调节方法同样会出现测量距离不垂直导致测量 不准确。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是，提供一种能够准确调节化学气相沉积反应腔中 喷管到电子吸盘的垂直距离的装置。为解决上述问题，本实用新型提供一种调节装置，用于调节化学气相沉积反应腔 中喷管到电子吸盘的垂直距离，所述调节装置包括底座和斜台，所述底座的高度大于所述 喷管最低点到电子吸盘表面的垂直距离，所述斜台的底面紧贴所述底座的顶面，所述斜台 的斜面与底面的夹角等于所述喷管与水平面的夹角，所述斜面上设置有刻度值。进一步的，所述底座与所述斜台为一体成型。可选的，所述底座为长方体。可选的，所述底座为长方体，所述底座的底面长度大于所述电子吸盘边缘与所述 反应腔内壁的距离。可选的，所述底座为圆柱体。可选的，所述底座为圆柱体，所述底座的底面直径大于所述电子吸盘边缘与所述反应腔内壁的距离。较佳的，所述调节装置的材质为可塑性材料。可选的，所述调节装置的材质为金属、塑料或木质。综上所述，本实用新型中所述调节装置能够准确调节化学气相沉积反应腔中喷管 到电子吸盘的垂直距离，并且所述调节装置结构简单，便于制作。
图1为现有技术中所述化学气相沉积反应腔的俯视图。图2为现有技术中所述化学气相沉积反应腔的剖视图。图3为本实用新型测量装置一实施例的结构示意图。图4为本实用新型测量装置另一实施例的结构示意图。图5为本实用新型测量装置使用方法一实施例的示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本实用新型的内 容作进一步说明。当然本实用新型并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知 的一般替换也涵盖在本实用新型的保护范围内。其次，本实用新型利用示意图进行了详细的表述，在详述本实用新型实例时，为了 便于说明，示意图不依照一般比例局部放大，不应以此作为对本实用新型的限定。本实用新型的核心思想是由于所述化学气相沉积反应腔中喷管的倾角固定不 变，故调整所述喷管伸出所述反应腔腔壁的长度相同，即可使所述喷管高度相同，故设计一 种可以调节所述喷管伸出所述反应腔腔壁的长度的调节装置，所述调节装置设有斜台，所 述斜台的斜面与底面的夹角等于所述喷管与水平面的夹角，所述斜台上设置有刻度，将所 述斜台紧靠在所述喷管上，调整所述喷管的长度，从而使所述喷管到所述电子吸盘的垂直 距离相同，从而在化学气相沉积过程中能够在晶圆表面均勻淀积、生长薄膜。图3为本实用信息中调节装置一实施例的结构示意图，图5为本实用新型测量装 置使用方法一实施例的示意图。如图3和图5所示，本实用新型提供一种调节装置，用于调 节化学气相沉积反应腔中喷管103到电子吸盘105的垂直距离，所述调节装置包括底座203 和斜台201，所述底座203的高度大于所述喷管103最低点到电子吸盘105表面的垂直距 离，所述斜台201的底面紧贴所述底座203的顶面，所述斜台201的斜面与底面203的夹角 等于所述喷管103与水平面的夹角，所述斜面上设置有刻度205。进一步的，所述底座203与所述斜台201为一体成型。可选的，所述底座203为长方体或圆柱体。图3、图4、图5为本实用新型测量装置 不同一实施例的结构示意图，其中图3中底座为长方体，所述底座203为长方体，所述底座 203的底面长度大于所述电子吸盘105边缘与所述反应腔101内壁的距离。图4中所述底 座203为圆柱体，所述底座203的底面直径大于所述电子吸盘105边缘与所述反应腔101 内壁的距离。当然其他能够进行测量的形状的改变均在本实用新型的思想范围内。所述调节装置的材质为可塑性材料。所述调节装置的材质为金属、塑料或木质。本实用新型中所述调节装置的使用过程为，选取一高度合适的喷管，将所述调节装置放在所述电子吸盘105上，从该喷管103的侧面移至其下方，所述底座203贴在所述电 子吸盘105的表面上，所述斜台201贴在该喷管的下方，读取并记录所述喷管的最顶端在所 述斜台201上的刻度205上的刻度值L，所述测量装置从该喷管下方移出，移至其他喷管下 方后，将其他喷管的顶端调节至刻度值L处。综上所述，本实用新型的调节装置能够准确调节化学气相沉积反应腔中喷管到电 子吸盘的垂直距离，并且所述调节装置结构简单，便于制作。虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本实用新型，任何 所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作些许的更 动与润饰，因此本实用新型的保护范围当视权利要求书所界定者为准。
权利要求1.一种调节装置，用于调节化学气相沉积反应腔中喷管到电子吸盘的垂直距离，其特 征在于，所述调节装置包括底座和斜台，所述底座的高度大于所述喷管最低点到电子吸盘 表面的垂直距离，所述斜台的底面紧贴所述底座的顶面，所述斜台的斜面与底面的夹角等 于所述喷管与水平面的夹角，所述斜面上设置有刻度值。
2.如权利要求1所述的调节装置，其特征在于，所述底座与所述斜台为一体成型。
3.如权利要求1或2所述的调节装置，其特征在于，所述底座为长方体。
4.如权利要求3所述的调节装置，其特征在于，所述底座的底面长度大于所述电子吸 盘边缘与所述反应腔内壁的距离。
5.如权利要求1或2所述的调节装置，其特征在于，所述底座为圆柱体。
6.如权利要求5所述的调节装置，其特征在于，所述底座的底面直径大于所述电子吸 盘边缘与所述反应腔内壁的距离。
7.如权利要求1或2所述的调节装置，其特征在于，所述调节装置的材质为可塑性材料。
8.如权利要求7所述的调节装置，其特征在于，所述调节装置的材质为金属、塑料或木质。
专利摘要本实用新型提供一种调节装置，用于调节化学气相沉积反应腔中喷管到电子吸盘的垂直距离，所述调节装置包括底座和斜台，所述底座的高度大于所述喷管最低点到电子吸盘表面的垂直距离，所述斜台的底面紧贴所述底座的顶面，所述斜台的斜面与底面的夹角等于所述喷管与水平面的夹角，所述斜面上设置有刻度值。调节装置能够准确调节化学气相沉积反应腔中喷管到电子吸盘的垂直距离，并且所述调节装置结构简单，便于制作。
文档编号C23C16/455GK201842888SQ20102056512
公开日2011年5月25日 申请日期2010年10月16日 优先权日2010年10月16日
发明者许亮 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司