技术编号：3410740
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及处理技术。具体地，本发明涉及用于涂覆或者处理物体的方法和设备。 背景技术原子层沉积(Atomic Layer Deposition) (ALD)是用于在各种形状的基底上，甚至在复杂的3D (三维)结构上沉积均勻且贴合的薄膜的众所周知的方法。在ALD中，通过交替地重复、基本上自限制的、前驱体和待涂覆的表面之间的表面反应，生长涂层。因此，在ALD 过程中的生长机制通常不像其他涂覆方法对例如反应室中的流动动力学敏感，这可能是不均勻性的来源，尤其在依靠气...
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