技术编号:3411579
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及C MP研磨液、以及使用其的研磨方法和半导体基板的制造方法。特别地,本发明涉及在半导体元件等电子部件制造技术中的基体表面的平坦化工序,例如层间绝缘膜的平坦化工序、STI (Shallow Trench Isolation 浅沟槽元件隔离)的形成工序等中使用的CMP研磨液、以及使用其的研磨方法和半导体基板的制造方法。背景技术在半导体装置的超大规模集成电路中,有提高安装密度的倾向,正在研究、开发各种微细加工技术。设计规则已经达到亚半微米级。作为满足这...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。