技术编号:3412219
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于透明导电膜光电,具体涉及一种透明导电金属薄膜及其制备 方法。背景技术在近几年,透明导电薄膜的制备得到了极大的发展,称为半导体的研究 热点之一。透明导电薄膜是一类禁带宽度在3. OeV左右的宽禁带半导体,经过元素掺杂 使得电阻率处在10_4 10_3Qcm的材料,这类材料对可见光的透光率在85%左右,使得 它们可以作为硅太阳能电池的上电极;还可以用于液晶显示,电致发光领域中作为透明 电极(详见参考文献 1 0. Nakagawa, Y. Kishi...
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