技术编号：3413955
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种碳组件以及制造该碳组件的方法，更具体而言，涉及用于具有气体导入用孔道的CVD基座且具有陶瓷涂层的碳组件以及制造该碳组件的方法。背景技术在用于外延生长硅或化合物半导体晶片的CVD系统中，基座用来在其上载放晶片。该基座中通常使用导电性石墨基材，从而通过感应加热来产生热量。由于石墨显示出较低的电阻、较高的耐热性和化学稳定性，其可优选用于此类CVD系统领域。然而，由于处理速率对外延生长是重要的，因此在CVD系统内部得到充分冷却之前甚至在相对较高的温度...
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