技术编号：34140928
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及一种用于银烧结接合的镀覆方法、用于银烧结接合的镀膜、功率模块(power module)用基板、半导体元件及半导体装置。背景技术.作为功率半导体，一直以来使用si(硅)半导体。而且，近年来与si半导体相比，可在更高温下工作的sic(碳化硅)半导体及gan(氮化镓)半导体的使用正在增加。因此，预计半导体的工作温度为高温至℃以上，将半导体元件接合到基板的芯片键合部的耐热性也变得必要。因此，作为所关注的接合技术之一，有银烧结接合。另一方面，为了进行银烧结接合，需要对基板等接合的部...
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