技术编号:3415807
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种锗的微米/纳米锥阵列,以及涉及一种基于化学刻蚀法制备锗的微米/纳米锥阵列的方法。背景技术锗是一种重要的半导体材料,由于其特殊的能带结构和高的载流子迁移率,锗在红外光学,光伏和电子工业等领域用途非常广泛。例如,锗作为红外光学材料应用于红外探测;作为高效率太阳能电池材料,吸收长波长光谱范围的能量;锗隧道二极管作为高速开关器件被广泛用于航天航空的各种仪器等。特别是近年来,由于器件的小型化和集成化,锗的微米/纳米结构越来越引起人们的重视。目前,锗的微...
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