技术编号：3418410
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。0001本发明涉及使用具有高分子量的含烃材料、由等离子体CVD形 成碳聚合物膜的方法，更具体地涉及使用碳聚合物膜作为用于半导体加 工的硬掩模的方法。背景技术0002在半导体加工技术中，光薄膜例如减反射膜和硬掩模被使用。 在传统技术中，这些膜主要由称作涂覆方法的技术形成。涂覆方法通过 涂覆液体材料并烧结它而形成高功能的聚合物膜。但是，由于具有粘度 的液体被涂覆，在衬底上形成薄的膜是困难的。由于半导体芯片尺寸持 续縮小，需要更薄和更高强度的膜。0003作为获得...
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