技术编号：3418435
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是与介电物质有关，尤指应用于半导体的介电物质的制造技术之沉积方法。背景技术在半导体技术中的介电物质多以沉积的方法制造，若是将高介电材料应用于半导体上则是应用原子层沉积法(atomic layer deposition, ALD)， 并配合脉冲一清洗(pulse-purge)的方式沉积介电材料，首先将材料脉冲到所欲沉积于其上的母材，之后再进行清洗，意即将多余的材料自母材上移除。通常介电材料并不是直接的应用在母材上，而是先以一种化合物的型态作为前驱体，之...
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