技术编号：3418594
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种在等离子环境中使用金属氨基化物、硅前体和氮源气体作 为前体按照循环膜沉积形成氮化金属硅膜的方法。技术背景相变记忆(PRAM)器件使用了能够在无定形和结晶态之间电转换的相变 材料。适合于这种应用的典型材料包括多种硫族化物元素例如锗、锑和碲。为 了引发相变，硫族化物材料应当使用加热器加热。存在许多潜在的加热材料比 如氮化钛(TiN)、氮化钛铝(TiAlN)、氮化钛硅(TiSiN)、氮化钽硅(TaSiN)制备这些膜的广泛研究的沉积方法为物理气相沉积...
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