专利名称：等离子增强循环沉积氮化金属硅膜的方法
技术领域：
本发明涉及一种在等离子环境中使用金属氨基化物、硅前体和氮源气体作 为前体按照循环膜沉积形成氮化金属硅膜的方法。
技术背景相变记忆(PRAM)器件使用了能够在无定形和结晶态之间电转换的相变 材料。适合于这种应用的典型材料包括多种硫族化物元素例如锗、锑和碲。为 了引发相变，硫族化物材料应当使用加热器加热。存在许多潜在的加热材料比 如氮化钛(TiN)、氮化钛铝(TiAlN)、氮化钛硅(TiSiN)、氮化钽硅(TaSiN)制备这些膜的广泛研究的沉积方法为物理气相沉积(PVD)，例如鹏寸，和 通常1M有机金属前体的化学气相沉积(CVD)方法。随着半导 件的缩小， 加热材料可以沉积到具有高纵横比结构的衬底上，具体取决于器件集成的设计。随着这种趋势，溅射方法已不适于形成均一厚度的膜。CVD典型地用来形 成均一厚度的膜，但是在高纵横比结构的器件中不足以满足良好的阶梯覆盖的 要求。众所周知，沉积的金属氮化物膜具有差的阶梯覆盖性，这是由于气态的 烷基酰氨基金属化合物和氨气之间的反应，特别是在利用烷基酰氨基金属前体 来化学沉积金属氮化物膜的时候。与传统的将前体同时地供给到衬底上的化学 沉积方法不同，将前体JIIW地供给到衬底上的原子层沉积(ALD)被认为是一 种有前途的用于即使在高纵横比结构中形成均一厚度膜的方法，这是因为其独 特的自限制反应控制特征。ALD使得化学反应只在前体和衬底的表面之间发生。对于研究^fOT ALD 方法来形成氮化金属硅膜的兴趣增大。其中之一是如何利用金属卣化物前体和 硅烷在N2/H2的等离子环境中制备氮化金属硅膜。因为存在着使用等离子的需 要，其被称为等离子增强原子层沉积(PEALD)。形成氮化金属磁莫的ALD的另 一个例子是《顿金属氨基化物前体、麟和氨。^f顿金属氯化物前体、诸如硅 烷的硅源、和氨，其需要直至大约1000°C的极高温方法，这使得对于某些衬底该方法是不受欢迎的。本发明的发明者发现，如果i顿金属氨基化物前体、硅前体和氮源气体形 成氮化金属砲摸，可以以比JOT金属卤化物前体的CVD方、齒氐得多的沉积 鹏 形成膜。同样，发明者发现如果将等离子用于膜的循环沉积，可以显著地提高 膜生魏率以及可以提供可以招氐的沉积 鹏下生长的氮化金属硅膜。 发明内容在实施方案中，本发明提供了三组分氮化金属硅膜在等离子环境中的循环 沉积方法。在另一个实施方案中，本发明提供了在等离子环境中^ffl优选的前体的改 进的膜循环沉积。
附图1是显示了使用TDMAT和BTBAS在等离子增强循环沉积TiSiN膜 的过程中，在450。C和250。C两个 鹏下，根据前体的脉冲时间比的电阻率， 和Ti/Si原子比的曲线图。附图2是显示了在450°C和250°C下使用TDMAT和BTBAS等离子增强 循环沉积TiSiN的氮化金属砲莫的沉积速率的曲线图。附图3是显示了在450°C下使用TDMAT和BTBAS等离子增强循环沉积 TiSiN膜的每一沉积循环数目的薄层电阻的曲线图。
具体实施方式
本发明提供了一种使用金属氨基化物、硅前体和氮源气体作为前体在等离 子环境中按照膜的循环沉积形成氮化金属硅膜的方法。在实施方案中，按照本发明的形成氮化金属硅膜的沉积方法包含以下步骤a) 将金属氨基化物以气态弓l入到反应室中，然后化学吸附(chemisorb)该 金属氨基化物到加热的衬底上；b) 吹扫出未反应的金属氨基化物；c) 将氮源气体引入到在等离子环境下的反应室中以形成金属(M) -N键；d) 吹扫出未反应的氮源气体；e) ^^前体以气态的方式弓l入到反应室中以形成N-Si键；f) 吹扫出未反应的硅前体；g) 将氮源气体弓l入到在等离子环境下的反应室中以形成Si-N键；和h)吹扫出未反应的氮源气体。同样，在该发明的循环中，金属氨基化物可以在硅前体引A^后被引入。在这种情况下，可以按e—f—g—h—a—b—c—d的顺序it4亍各步骤。在另一实施方案中，本发明提供了形成氮化金属^l莫的沉积方法，包含以下步骤a) 将金属氨基化物以气态引入到在等离子环境下的反应室中，然后化学吸 附该金属氨基化物到加热的衬底上；b) 吹扫出未反应的金属氨基化物；c) 4維前体以气态引入至赃等离子环境下的反应室中，以在被吸附到衬底 之上的金属氨基化物和硅前体之间形成键；d) 吹扫出未反应的硅前体；上述步骤定义了本方法的一个循环，并且该循环可以重复直到获得所要厚 度的氮化金属硅膜。氮化金属硅膜可以使用典型的热ALD制备。然而，如果在等离子环境中沉 积膜，氮化金属硅膜方法的膜生长速率可以显著地提高，因为等离子活化了反 应物的反应性。例如，由PEALD方法所获得的TiSiN膜的薄层电阻比由热ALD所获得的 大概低两个数量级。另外，现已知PEALD方法提高了膜的性质和扩大了过程窗 口 (process window)。这使其便于满足目标应用所要求的膜规格。在本发明的一个实施方案中，本沉积方法至衬底上的第一前体是金属氨基 化物。通常应用于半导体制造的金属包括、和适合于作为金属氨基化物的金属 成分的金属包括钛、钽、钨、铪、锆和类似物。适于使用在本沉积方法中的金属氨基化物的具体例子包括从以下组中所选择的金属氨基化物四(二甲基氨基)钛(TDMAT)、四(二乙基氨基)钛(TDEAT)、四(乙基甲基氨基)钛 (TEMAT)、叔丁基亚氨基三(二乙基氨基)钽(TBTDET)、叔丁基亚氨基三(二 甲基氨基)钽(TBTDMT)、叔丁基亚氨基三(乙基甲基氨基)钽(TBTEMT)、 乙基亚氨基三(二乙基氨基)钽(EITDET)、乙基亚氨基三(二甲基氨基)钽 (EITDMT)、乙基亚氨基三(乙基甲基氨基)钽(EITEMT)、叔戊基亚氨基三 (二甲基氨基)钽(TMMAT)、叔戊基亚氨基三(二乙基氨基)钽(TMEAT)、 五(二甲基氨基)钽(PDMAT)、叔戊基亚氨基三(乙基甲基氨基)钽(TAIEMAr)、二 (叔丁基亚氨基)二 (二甲基氨基)钨(BTBMW)、 二 (叔丁基亚氨基)二 (二乙基氨基)钨(BTBEW)、 二 (叔丁基亚氨基)二 (乙基甲基氨基)钨 (BTBEMW)、四(二甲基氨基)锆(TDMAZ)、四(二乙基氨基)锆(TDEAZ)、 四(乙基甲基氨基)锆(TEMAZ)、四(二甲基氨基)铪(TDMAH)、四(二 乙基氨基)铪(TDEAH)、四(乙基甲基氮基)铪(TEMAH)、以及它们的混 合物。更优选，四(二甲基氨基)钛(TDMAT)可被用作金属氨基化物。金属氨基化物按照预定的摩尔体积以预定的时间供给到反应室中。典型地， 金属氨基化物供给到CVD或ALD室中大约0.1到500秒的时间以允许材料被 充分地吸附从而使得表面饱和。在沉积期间，金属氨基化物雌是气体状态， 而且以预定的摩尔体积大约在O.l到1000微摩的范围内供给。 适合于本发明的硅前体可以优选同时包含N-H键和Si-H键。 硅前体可以是一种或多种化合物，选自于由具有化学式0)的单烷基氨基 ^Si^ (monoaJkylaminosilane)禾口具有化学式(2)的肼基硅烷(hydrazinosilane)所组成的组(Rto nsd (1)(R32N-NH) xSiR4yH4_x-y (2)其中在上面的化学式中，^到R"相同或不同并独立:tM自于由烷基、乙烯 基烯丙基苯基、环烷基、繊凝n甲娃院基院基(silylalkyl)组成的组，其 中n二l,2;m二0,l,2;n + m《3,x:l,2;y^0, l,2;x+y=<3。上面化学式中的"烷基"尉旨任选取代的、线性救化的烃，其具有1-20 个碳原子，优选具有1-10个碳原子，更,具有l-6个碳原子。适合于本发明的单烷基氨基硅烷和肼基硅烷， 地可以从以下组成的组 中选择二 (叔丁氨基)硅烷(BTBAS)、三(叔丁氮基)硅烷、二 (异丙氨基) 硅烷、三(异丙氨基)硅烷、二 (1， l-二甲基肼基)硅烷、三(1， 1-二甲基肼 基)硅烷、二 (1， l-二甲基肼基)乙基硅烷、二 (1， l-二甲基肼基)异丙基硅 烷、二 (1， l-二甲基肼基)乙烯基硅烷和它们的混合物。更4继，可以4顿二 (叔丁氨基)麟(BTBAS)。通常，单烷基氨基硅垸(monoalkylaminosilanes )和肼基硅烷 (hydrazinosilanes)已经被用于沉积氮化硅膜而不管是否利用氨。由于氨被引入 反应器(其也可以被称为"反应室")，本发明能进一步增加金属氨基化物和硅前体之间的结合以制备氮化金属硅膜。适合于本发明的金属氨基化物和单烷基氨基硅烷已知以液相或气相彼此反应。如此，它们不能应用于传统的CVD技术。硅前体以预定的大约0.1到1000 ，的摩尔体积引入到反应器中预定的大 约O.l至U500秒的时间。硅前体与金属氨基化物反应，并被吸附到衬底的表面上 从而舰金属-氮-硅键形成氮化硅。适合于本发明的氮气体源可以是从下面的组中所选择的适当的氮前体氨、 肼、单烷基肼、二烷基肼和它们的混合物。氮气鹏例如氨被引入到反应器中，例如，以大约10至U 2000sccm的流速 弓l入大约O.l到1000秒。用于吹扫出未反应试剂步骤中的吹扫气是不与前体反应的惰性气体，可以 亍继从由Ar、 N2、 He、 H2以及它们的混合物所组成的组中选择。通常，吹扫气例如氩供给入反应器中，例如，以大约10到2000sccm的流 速供入大约0.1到1000秒，从而吹扫存留在反应室中的未反应的材料和任何的 副产物。根据本发明形成的氮化金属硅可以是氮化钛硅、氮化钽硅、氮化鸽硅、氮 化铪硅或氮化锆硅。用于本发明的沉积可以是循环化学气相沉积方法或原子层沉积方法，依赖 于过程条件特别是沉积^g。根据ald的膜生长是m交替地将衬底表面暴露给不同的前体而进行。它不同于化学气相沉积之处在于，在气相状态要保持前体之间彼此严格分离。在 其中膜生长由表面反应的自限控制来控制的理想ALD窗口中，如果表面是饱和 的那么各个前体的引入时间以及沉积^ttt生^I率是没有影响的。与ALD窗口相比循环CVD (CCVD)方法可以在更高的Mj度范围内进行， 其中前体发生分解。所谓的"CCVD"与那传统的CVD在前体的分离方面不同。 在CCVD中每种前体都按顺序引入且完全分离，但是在传统的CVD中所有的 反应物前体同时地引入到反应器中并诱发彼lfct间以气相反应。CCVD和传统 的CVD的共同点是两者都与前体的热，相关。衬底在反应器也即沉积室中的^^可以tt^低于大约600°C，更tt^[氐于大 约500。C，过程压力可以it^在大约0.1Torr到大约100ToiT之间，更^i^在大 约1 Ton到大约10 Ton之间。供给前体和氮源气体的各自步骤可以通过改变供给它们的时间从而改变三 组分氮化金属硅膜的化学计量组成而施行。等离子形成方法包括直接等离子形成方法，其中等离子直接地在反应器中 形成，或远程等离子形成方法，其中等离子是在反应器之外形成并供给入反应 器中。本发明的第一优点在于ALD方法得到了等离子增强的协助，使得沉积^^ 低得多，从而使热预算可以降低。同时ALD方法使得肖詢多具有较宽的过程窗口 (process window)以控制在目标应用中所需膜特性的规格。本发明的另一个优点在于使用单烷基氨基硅烷(monoalkylaminosilane)或 肼基麟(hydrazinosilane)作为硅源。目前，麟、氨气和金属氨基化物已经 被研究用于形成氮化金属繊，其中硅烷是自燃气体，预示着潜在的危险。然 而，本发明的单烷基氮基麟劍井基麟是不自燃的，因此〗顿时危险较少。在本发明的一个优选方案中，可以使用等离子增强的循环沉积，其中在金 属氨基化物、硅前体和氮源气体中使用四(二甲基氨基)钛(TDMAT)、 二 (叔 丁氨基)硅烷(BTBAS)和氨作为前体。将详细地描述本发明的示例性的实施方案。将连接前体容器罐和反应室的气体管线加热到70°C， TDMAT和BTBAS 的容器保持在室温。将前体注入到反应室的注入 是直支泡型，其中在前体脉 冲(precursor pulsing)期间25sccm的氩气携带着金属氨基化物前体的蒸气itA 到反应室中。在该过程期间500sccm的氩气连续地流动，反应室工作压力大约 为lTorr。使用氧化硅晶片作为衬底，其厚度大于ioooA以完全地隔离亚硅层(Sub-silicon layer)在膜的薄层电阻测量上的干涉。在该过程期间，在反应室中 在加热台上加热的氧化硅晶片，在开始时暴露于TDMAT中，然后TDMAT前 体吸附在氧化硅晶片的表面上。氩气将未吸附的多余的TDMAT吹扫出过程室。 在充足的氩吹扫以后，将氨气引入反应室中，其中等离子直接地在室内部形成。 由等离子活化的氨替换了吸附在衬底之上的TDMAT的二甲基氨基配位体，在 钛和氮之间形成了键合。随后氩气从室中吹扫出未反应的多余NN3。然后将 BTBAS引入室，有助于氮和硅之间键合的形成。未吸附的多余的BTBAS舒 被随后的氩吹扫气吹扫出。将氨气引入在形成等离子的条件中的室中替换BTBAS的配位体以形成Si-N键。使用氨气处理的表面为随后TDMAT的引入 供应新的反应点。未反应的多余的氨气被氩气吹扫出。上述的步骤定义了目前 三组分化学方法的典型的循环。可以重复该过程循环若干次以达到要求的膜厚度。用作PRAM器件中的加热材料的BSiN膜要求多种规格的膜特性例如高电 阻率、结晶热稳定性、材料与存储元件的相容性等等。过程参数例如沉积温度、 前体脉冲时间和RF功率可以改变以满足所要求的膜特性。膜组成(Ti/Si原子％比例)取决于供给入过程室的TDM/^T和BTBAS的 数量。TDMAT和BTBAS的数量可以由改变各个前体的脉冲时间和前体的容器 罐的温度来改变。 实施例以下，参考实施例将更详细地描述本发明。 实施例l.由PEALD在450。C制备氮化钛硅(TiSiN)膜该循环包摘顿序供给如下物质TDMAT，其iffii氩载气以25sccm的^il 鼓泡不同的脉冲时间；氩吹扫气，以500sccm的皿供给5秒；氨气，在RF 等离子产生期间以100sccm的流速供给5秒；氩吹扫气，以500sccm的流速供 给5秒；BTBAS， fflil氩载气以25sccm的^II支泡不同的脉冲时间；Ar吹扫 气，以500sccm的流速供给5秒；氨气，在RF等离子产生期间以100sccm的 ^il供给5秒；和氩吹扫气，以500sccm的流速供给5秒。过程室的压力大约 在1.0Toit，加热器温度450。C,和晶片温度395。C相应。保持总的前体的流量在各个瞎况相同为3.5秒，TDMAT/BTBAS脉冲时间 分别变为(0.5秒/3秒)、(1.75秋1.75秒)和(3秒/0.5秒)。然而，饱和期间 氨脉冲时间保持恒定，5秒，100sccm的額接地^A产生了等离子的室中， 其中RF功率是50W。循环重复100次或更多次。附图1到3图解了战领赋的结果。如附图1所示，根据TDMAT和BTBAS沉积速率的结果，在形成TiSiN膜 时TDMAT看起来要比BTBAS更具有反应活性。JJ丞情况的电阻率分别是25.3、 3.4、禾B2.6mOhm-cm。卢瑟福背f^谱(Rutherford Backscattering Spectroscopy, RBS)分析显示Ti/Si比分另iJ为1.3、 2.5禾口 5.2。同样，如附图2所示，战情况的沉积速率分别是1.4、 3.5和6.7A/循环，反映出上述情况超出了 ALD的范围。附图3说明了薄层电阻禾嗰环的关系，其和随着厚度增加薄层电阻M^的趋势相对应。实施例2 PEALD在250°C制备了氮化钛硅(Titanium silicon nitride, TiSiN)膜除了加热器温度为250°C以外，循环与上面的实施例1中相同。250°C的 加热器温度和晶片温度235°C对应。 附图1和2图解了战测试的结果。如附图1所示，±^情况的电阻率分别是915.1、 123.5禾卩22.5 mOhm-cm， RBS分析显示Ti/Si比分别为1.3、 1.6和2.1。同样，如附图2所示，JlM情况的沉积速率分别是0.6、 0.8和l.lA/循环， 反映出上述情况处于ALD范围之内。换句话说，可以提供氮化金属硅(metal silicon nitnde)膜，其可以招氐的过程 鹏下生长。 实施例3. i!51热ALD在250°C制备氮化钛硅(TiSiN)膜该循环包掛顷序供给下列物质TDMAT， fflil氩载气以25sccm的^II支 泡不同脉冲时间；氩吹扫气，以500sccm的^il供给5秒；氨气，在没有RF 等离子产生的情况下以100sccm的流速供给5秒；氩吹扫气，以500sccm的流 速供给5秒；BTBAS， M31氩载气以25sccm的流驗泡不同的脉冲时间；氩 吹扫气，以500sccm的流速供给5秒；氨气，在没有RF等离子产生的情况下以 100sccm的流速供给5秒；和氩吹扫气，以500sccm的流速供给5秒。过程室 的压力大约为l.OTorr，加热器250。C的温自应于晶片 ^度为235°C。保持总的前^^量在各个瞎况下相同为3.5秒，TDMAT/BTBAS脉冲时间 分别变为(0.5秒/3秒)、(1.75秋1.75秒)和G秒/0.5秒)。然而，饱和期间氨 脉冲时间保持恒定，5秒，100sccm的氨直接地流入室中。循环重复100次或更 多次。然而在氧化硅衬底上没有膜形成。虽然前述内^及本发明的优选方案，但是可以不脱离本发明的基本范围 而设计出其他的和更进一步的实施方案，本发明的基本范围由随后的权利要求 所确定。如上所述，本发明使用等离子来循环沉积膜，导致膜的生长速率可以显著 地提高，并可以提供氮化金属硅膜，其可以在低的过程鹏成长。另外，由于本发明针对使用等离子的膜循环沉积使用了最适当的前体化合物，所以膜的沉 积效率可以达到最大化。
权利要求
1、一种在衬底上形成氮化金属硅膜的沉积方法，该方法包含以下步骤a)将金属氨基化物以气态引入到反应室中，然后化学吸附该金属氨基化物到加热的衬底上；b)吹扫出未反应的金属氨基化物；c)将氮源气体引入到在等离子环境下的反应室中以形成金属(M)-N键；d)吹扫出未反应的氮源气体；e)将硅前体以气态引入到反应室中以形成N-Si键；f)吹扫出未反应的硅前体；g)将氮源气体引入到在等离子环境下的反应室中以形成Si-N键；和h)吹扫出未反应的氮源气体。
2、 根据权利要求l所述的方法，其中按e—f—g—h—a—b—c—d的7娘实 施所述步骤。
3、 一种在衬底上形成氮化金属硅膜的沉积方法，该方^含以下步骤a) 将金属氨基化物以气态引入到在等离子环境下的反应室中，然后化学吸 附该金属氨基化物到加热的衬底上；b) 吹扫出未反应的金属氨基化物；c) ^^前体以气态引入到在等离子环境下的反应室中，以在被吸附到衬底 上的金属氨基化物和所述硅前体之间形成键；d) 吹扫出未反应的硅前体。
4、 根据权利要求1-3任一所述的方法，其中金属氨基化物选自于由以下物 质所组成的组四(二甲基氨基)钛(TDMAT)、四(二乙基氨基)钛(TDEAT)、 四(乙基甲基氨基)钛(TEMAT)、叔丁基亚氨基三(二乙基氨基)钽(TBTDET)、 叔丁基亚氨基三(二甲基氨基)钽(TBTDMT)、叔丁基亚氨基三(乙基甲基氨 基)钽(TBTEMT)、乙基亚氨基三(二乙基氨基)钽(EITDET)、乙基亚氨基 三(二甲基氮基)钽(EITDMT)、乙基亚氨基三(乙基甲基氨基)钽(EITEMT)、 叔戊基亚氨基三(二甲基氨基)钽(TAMAT)、叔戊基亚氨基三(二乙基氨基) 钽(TMEAT)、五(二甲基氨基)钽(PDMAT)、叔戊基亚氨基三(乙基甲基 氨基)钽(TMEMAT)、 二 (叔丁基亚氨基)二 (二甲基氨基)鸨(BTBMW)、二 (叔丁基亚氨基)二 (二乙基氨基)钨(BTBEW)、 二 (叔丁基亚氨基)二 (乙基甲基氨基)钩(BTBEMW)、四(二甲基氨基)锆(TDMAZ)、四(二乙基 氨基)锆(TDEAZ)、四(乙基甲基氨基)锆(TEMAZ)、四(二甲基氨基) 铪(TDMAH)、四(二乙基氨基)铪(TDEAH)、四(乙基甲基氨基)铪(TEMAH) 以及它们的混合物。
5、 根据权利要求1-3任一所述的方法，其中硅前体同时包含N-H键和Si-H键。
6、 根据权利要求1-3任一所述的方法，其中硅前体是一种或多种化合物， 选自于由具有化学式(1)的单烷基氨基硅烷和具有化学式(2)的肼基硅烷所 组成的组(Rto nsd (i)(R32N-NH) xSiR4yH4_x-y (2)其中，在上面的化学式中，W至iJ^相同或不同并独立ilM自于由烷基、乙 烯基烯丙基苯基环烷基、織基和甲硅烷基烷基组成的组，其中11=1,2;111 =0,1,2; n + m=<3, x=l, 2; y= 0,1,2; x+ y=<3 。
7、 根据权禾腰求6所述的方法，其中硅前体选自于由以下物质所组成的组二 (叔丁氨基)硅烷(BTBAS)、三(叔丁氨基)硅烷、二 (异丙氨基)硅烷、 三(异丙氨基)硅烷、二 (1， l-二甲基肼基)硅烷、三(1， l-二甲基肼基)硅 烷、二 (1， l-二甲基肼基)乙基硅烷、二 (1， l-二甲基肼基)异丙基硅烷、二 (1， l-二甲基肼基)乙烯基硅烷和它们的混合物。
8、 根据权利要求1或2所述的方法，其中氮气源选自于由以下所组成的组 氨、肼、单烷基肼、二烷基肼和它们的混合物。
9、 根据权利要求1-3任一所述的方法，其中用在吹扫出步骤中的吹扫气选 自于由Ar、 N2、 He、 H2以及它们的混合物所组成的组。
10、 根据权利要求1-3任一所述的方法，其中所述氮化金属硅是氮化钛硅、 氮化钽硅、氮化鸨硅、氮化铪硅或氮化锆硅。
11、 根据权利要求1-3任一所述的方法，其中沉积是循环化学气相沉积过程。
12、 根据权利要求1-3任一所述的方法，其中沉积是原子层沉积过程。
13、 根据权利要求1-3任一所述的方法，其中衬底的》，低于600°C，过程压力在O.l Torr到100Toir之间。
14、 根据权利要求1-3任一所述的方法，其中供给前体和氮源气体的各自 步骤iffil改变供给它们的时间从而改变三组分氮化金属硅膜的化学计量组成而 施行。
15、 根据权利要求1-3任一所述的方法，其中等离子形成过程包括在反应 器中直接形成等离子的直接等离子形成过程，或在反应器之外形成等离子并供 入反应器中的远程等离子形成过程。
全文摘要
本发明涉及等离子增强循环沉积氮化金属硅膜的方法，具体涉及在等离子环境中按照循环膜沉积使用金属氨基化物、硅前体和氮源气体作为前体形成氮化金属硅膜的方法。在衬底上形成氮化金属硅膜的沉积方法包含以下步骤脉冲加入金属氨基化物前体；吹扫出未反应的金属氨基化物；将氮源气体引入在等离子环境下的反应室；吹扫出未反应的氮源气体；脉冲加入硅前体；吹扫出未反应的硅前体；将氮源气体引入到在等离子环境下的反应室中；和吹扫出未反应的氮源气体。
文档编号C23C16/30GK101328578SQ20081014280
公开日2008年12月24日 申请日期2008年6月19日 优先权日2007年6月19日
发明者杨相铉, 金文径, 金武性, 雷新建 申请人:气体产品与化学公司