技术编号：3419391
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种镍薄膜及制备方法，尤其是一种镍有序多孔阵列薄膜及 其制备方法。 背聚技术镍有序多孔阵列薄膜作为新一代高密度磁存储介质，引起了人们的广泛 关注。由于镍有序多孔薄膜的本征各向异性和薄膜的退磁场相互作用，在有 序孔周围形成稳定的磁筹结构，相邻的孔洞之间形成磁记录单元。这种镍有 序多孔阵列薄膜较之磁纳米分立单元阵列结构有着居里温度髙、磁记录稳定、 磁记录密度高并且不会受到超顺磁性的影响等优点，此外，镍有序多孔阵列 薄膜在传感器、隐形材料和高效催化剂等...
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