技术编号:3419904
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种金属纳米颗粒单分散的方法,特别是一种用二次蒸发法制备单分散Cu纳米颗粒模板的方法。 背景技术当前,随着各种一维纳米材料制备技术的不断发展,金属纳米颗粒产生了 全新的用途,就是可以作为催化剂种子模板,促进一维纳米结构的定向生长。 Cu的熔点为1083°C,与一维半导体纳米线的制备温度相当,因此它做为催化剂 时不易蒸发。这样就要求纳米颗粒具备非常高的单分散程度;除此之外,还要 水多W木规权tfJK可仕川Unm以「,权任匁、邻;oj)j;舰权tfj...
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