技术编号：3420257
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子材料领域，具体涉及应用于基于纳米晶可快速读写的高密度非挥 发性存储器的(Zr02MSi02)Lx薄膜及其制备方法。背景技术当前计算机使用的存储系统包括易失性存储器和非易失性存储器。前者多用于计算 机系统的内部存储器，在没有电源支持的时候，不能保存数据。而后者在没有电源支持 的时候，能够完整保存原来的数据，所以广泛用于电子系统的数据保存，如计算机、数 码设备、工控设备等。当前使用的非易失性存储器磁性介质存储器，由于读写过程中磁 头与记录介质要...
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