技术编号:3425290
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于化学相沉积过程例如化学蒸气沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)的 有机金属前体。背景技术各种有机金属前体被用来形成用于半导体工业的高-κ介电薄金属膜。各种沉积 方法被用于形成含金属的膜,例如化学蒸气沉积(“CVD”)或原子层沉积(“ALD”),也称为 原子层取向。通过这些化学相沉积方法沉积的有机金属前体在纳米技术和半导体装置(例 如电容器电极、门电极、粘附扩散势垒区和集成电路)的制造中有各种应用。CVD是这样一种化学过程,通过该过程,前体被沉...
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