技术编号:3425492
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及使用原子层沉积法以保护性材料的薄膜选择性地涂覆包括第一和第 二材料的基材表面的方法。背景技术半导体和其它电子器件的制造通常使用掩蔽法以施加保护层涂层。典型的掩蔽法 包括,但不限于,化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)。原子层沉积(ALD)为气相法,因此,所沉积的材料通常没有任何区别地涂覆样品 的各处。而且,不可能将ALD膜图案化,因为其不是视线(瞄准线)法(line of sight process)。一种解决办法是使用掩模,例如,经由光...
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