技术编号:3426343
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种铁电薄膜的制备方法,具体涉及一种Bi3丄a。.8TiA2铁电薄 膜的制备方法。背景技术Bi3.2LaQ.8Ti3012铁电薄膜具有电极化强度大和抗疲劳的特点。是永久随机存 取记忆(NVRAM)和动态随机存取记忆(DRAM)中的具有潜在应用价值的 一类很重要的电子材料。在这些应用中,要求薄膜有低的矫顽场、高的剩余极 化、低的漏电流和低的极化疲劳。锆钛酸铅(PZT)薄膜有大的剩余极化但抗疲劳 性能差。钛酸钡、钛酸锶钡铁电薄膜有较好的抗疲劳性能但剩...
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