技术编号:3426344
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于材料制备领域,具体涉及一种813丄3。.8113012铁电薄膜的制备 方法。背景技术Bi』d。,8TiA2铁电薄膜具有电极化强度大和抗疲劳的特点。是永久随机 存取记忆(NVRAM)和动态随机存取记忆(DRAM)中的具有潜在应用价 值的一类很重要的电子材料。在这些应用中,要求薄膜有低的矫顽场、高的 剩余极化、低的漏电流和低的极化疲劳。锆钛酸铅(PZT)薄膜有大的剩余极化 但抗疲劳性能差。钛酸钡、钛酸锶钡铁电薄膜有较好的抗疲劳性能但剩余极 化等性能较...
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