技术编号：34265147
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及晶体生长技术领域，尤其涉及一种异形坩埚及其用于提拉法生长钽酸锂晶体的方法。背景技术.提拉法是将构成晶体的原料放在坩埚中加热熔化，在熔体表面籽晶提拉熔体，在受控条件下，使籽晶和熔体在交界面上不断进行原子或分子的重新排列，随降温逐渐凝固而生长出单晶体的方法。提拉法因其在晶体生长过程中可以直接进行测试与观察，有利于控制生长条件；使用优质定向籽晶和“缩颈”技术，可减少晶体缺陷，获得所需取向的晶体。晶体生长速度较快，以及生长得到晶体位错密度低，质量较好等特点已经成为目前晶体生长使用最为普遍...
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