技术编号:3426854
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光电子功能材料,具体涉及一种半导体纳米导电膜及其制备方法。背景技术由铝(Al)惨入锌(Zn)经过物理气相淀积(PVD)形成透明导电膜,叫做氧化锌铝 膜(ZAO)。如果由ZnO和A1203的粉末充分混合,模压及高温烧结形成瓷质块,叫做ZAO 母系陶瓷材料。与ZAO同属于一种半导体透明导电氧化物(TCO)的氧化铟锡(ITO), 是应用很广的透明导电膜,它们的禁带宽度Eg》3.2ev。而可见光的光子能量S3.1ev,即 可见光不能引起本征激发,因此IT...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。