技术编号:3427171
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及晶片抛光方法,具体涉及。 背景技术化学机械抛光(chemical mechanical polishing,简称CMP)技术是机械磨削和化 学腐蚀的组合技术,它借助超微粒子的研磨作用及浆料的化学腐蚀作用在被加工表面形成 光洁平坦平面。目前,用于GaN异质外延衬底的化学机械抛光研究主要集中在蓝宝石衬底 上,针对铝酸锂衬底表面的化学机械抛光报道很少。为了提高铝酸锂衬底的竞争力,研究一 种高精密铝酸锂晶片的平坦方法,已成为亟待解决的重要技术方法。铝酸锂...
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