技术编号：3431039
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及纳米级结晶硅粉末、其制备以及应用。由于纳米级硅粉末特殊的光学和电子特性，因而它们得到人们很大的关注。众所周知，硅通过硅烷(SiH4)的热解而制备。在US 4661335中，描述了一种具有低密度以及BET表面积为1-2m2/g的、聚集的、很大程度上为多晶的硅粉末，其是通过在管状反应器中由硅烷在500℃和700℃之间的温度下热解而得到。目前这种粉末已不能满足人们的需求。此外，由于存在大量未反应的硅烷而使得这个方法很不经济。在Laser Physics...
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