技术编号:3431757
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。背景技术 在文献1(特开平2001-237455号公报)中,记载了紫外发光元件。紫外发光元件,具有交替配置第1InAlGaN层和第2InAlGaN的量子势阱结构,此外,采用在紫外区的短波长区发光的InAlGaN。第1InAlGaN层的组成比不同于第2InAlGaN层的组成比。在具有含有InAlGaN势阱层和InAlGaN势垒层的量子势阱结构的发光元件中,根据本发明者们所知,当在量子势阱结构和n型AlGaN半导体层之间,设置与量子势阱结构的势垒层...
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