技术编号:3431936
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体纳米材料,特别是提供了,并且可以获得优异的场发射性能。背景技术 宽禁带半导体氧化锌(ZnO,Eg=3.37eV)材料的场发射特性早在二十世纪六七十年代就已经有了报道。例如1978年Rihon和Marien分别研究了ZnO的场发射电子能量谱和高场强下ZnO表层的场解析。但是,由于ZnO在室温下具有较高的激子束缚能(60meV)和极大的光增益因子(300cm-1),人们关注更多的是ZnO用于制作短波发光二极管和激光二极管,以及在透明导电膜、化学...
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