技术编号：3433606
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及将工业化制造的粗无水氯化铝作为原料，使杂质成分(杂质金属)尽可能地减少了的纯度非常良好的。 背景技术 无水氯化铝一般被作为路易斯酸催化剂用于石油纯化和大量的有机合成等。但是，近年来开始被用于燃料电池和半导体等的用途或被用作IC等的制造中采用化学气相沉积(CVD)和EL(场致发光)元件用的ALE(原子层外延)法等的Al2O3绝缘膜的制造原料，使杂质成分的含量尽可能地减少了的无水氯化铝的纯度要求提高，但市售的最纯试剂中也未找到满足该要求的试剂。...
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