技术编号:3434821
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及通过蒸馏。EP-A 1264798描述了通过从其它氯硅烷和工业废气中馏出而由多晶硅沉积产生 的废气制备六氯乙硅烷。GB 923784描述了通过在200-600°C的温度范围内热裂解三氯硅 烷制备六氯乙硅烷,所述反应必须在保护气体下或在氢气下进行。DE 1142848同样描述了 通过在电子炉中加热三氯硅烷至200-1000°C得到高纯度六氯乙硅烷。这个反应也是在保护 气体下或用氢气作为运输气体进行。WO-A 06109427描述了通过用活性炭处理...
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