技术编号:3436156
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,属于辐射化学制造纳米材料工艺。背景技术纳米晶态半导体粒子因其具有大的表面体积比、高的活性、特殊的电学性质和独 特的光学性质引起了科学界的广泛关注。基于半导体纳米粒子的量子尺寸效应和表面 效应。半导体纳米粒子在发光材料、非线性光学材料、光敏传感器材料、光催化材料等方面具有广阔的应用前景。硒化锡(SnSe)作为IV-VI族半导体化合物,有着非常广 阔的应用前景。SnSe是一种重要的半导体材料,禁带宽度约为0.9eV,各向异性,结 构类似于空间群,具...
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