技术编号:3436662
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一维纳米材料的制备方法,尤其涉及一种硅化铁纳米线的制 备方法。背景技术半导体工业的发展方向是更小、更快、更低能耗。然而,从微米电子时 代进入纳米电子时代之后,传统的半导体制造技术-光刻工艺(自上而下" 的技术)显得越来越难以满足现在和未来的要求。由此,"自下而上"的技术, 或称为自组装技术被认为是未来发展的趋势。目前,人们已经利用这种自组 装技术合成了各种纳米结构,包括纳米线、纳米管,其潜在的应用领域包括 纳米电子、纳米光学、纳米感测器等。硅化铁...
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