技术编号:3436966
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种硅材料的制造方法,特别是涉及一种制造高纯度硅材料的制造方法。 背景技术电子工业最重要的半导体材料为硅(Si),目前硅制元件的销售量大约为全世界半 导体元件的95%。硅在地壳中的含量约为28%,是仅次于氧的元素,但在自然界,硅绝对不 会以元素存在。硅有很好的机械特性,有天生的介电质-二氧化硅(Si02)。天然的硅是以 硅土 (silica,不纯的SiO2)和硅酸盐(silicate)的型态存在。硅的能隙(energy gap)为 1. leV,...
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