技术编号:3438942
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于硅精炼的方法和装置。尤其是,本发明涉及用于产生氯硅烷和沉积高纯度硅的方法和装置。背景技术在可以用于光生伏打或半导体应用以前,冶金级硅需要精炼。按照惯例,用以系列方式进行的若干步骤来进行这种过程在第一步骤中,产生氯硅烷或甲硅烷,例如TCS-三氯硅烷SiHC13、STC-四氯化硅SiC14、二氯硅烷SiH2C12、或甲硅烷SiH4,通常通过一种流化床反应器,例如如在美国专利申请公开号2007/0086936A1中所描述的。在接下来的步骤中,俘获产...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。