技术编号:3439888
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及的是一种SiC纳米线的制备方法,尤其是一种制备高产量SiC纳米线 的方法。背景技术自从1991年日本NEC公司发现碳纳米管以来,一维纳米材料得到了迅猛的发展, 各种纳米材料如纳米线、纳米棒、纳米带和纳米电缆等相继出现。一维纳米材料在介观物理 和纳米器件研究方面有着诱人的前景,可用作扫描隧道显微镜的针尖、纳米器件、光导纤维 及复合材料增强剂等。SiC是继硅基半导体为代表的第一代半导体材料和以砷化稼及磷化 铟为代表的第二代半导体材料发展起来的新型宽带...
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